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转轴与动片之间接触不良的可变电容器

发布时间:2021/1/18 12:33:14 访问次数:335

当芯片检测到电池电压低于某个设定值,DO的电压从高电势转换为零电压,V1从导通切换为关断,从而切断放电时,过放电操作非常重要。 

电路磷酸铁锂电池负载无法放电,但是V1有自己的二极管VD1,因此充电器可以通过该二极管为磷酸铁锂电池充电。

磷酸铁锂电热峰值可达350℃-500℃而锰酸锂和钴酸锂只在200℃左右。工作温度范围宽广(-20C--75C),有耐高温特性磷酸铁锂电热峰值可达350℃-500℃而锰酸锂和钴酸锂只在200℃左右。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:50 S 下降时间:20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:65 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg

用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象。

用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的。

将万用表置于 R&TImes;10k 挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

当芯片检测到电池电压低于某个设定值,DO的电压从高电势转换为零电压,V1从导通切换为关断,从而切断放电时,过放电操作非常重要。 

电路磷酸铁锂电池负载无法放电,但是V1有自己的二极管VD1,因此充电器可以通过该二极管为磷酸铁锂电池充电。

磷酸铁锂电热峰值可达350℃-500℃而锰酸锂和钴酸锂只在200℃左右。工作温度范围宽广(-20C--75C),有耐高温特性磷酸铁锂电热峰值可达350℃-500℃而锰酸锂和钴酸锂只在200℃左右。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:50 S 下降时间:20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:65 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg

用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象。

用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的。

将万用表置于 R&TImes;10k 挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动。

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