多片闪存，新产品采用该公司最先进的0.15mm 技术工艺，将应用在高性能的下一代移动电话。

64兆位的M58WR064ET和 M58WR064EB是首次将多片体系结构、1.8V电源电压和同步突发读模式集于一身的器件，这些器件有助于提高技术更为复杂的第三代移动电话的性能。这两款产品的开发成功，证实了意法半导体 (ST)坚持用创新的解决方案满足市场对高级应用的需求的承诺。

器件是ST对移动电话专用闪存的开发所做出的巨大投入的结果，这两款新器件均是集先进功能和尖端技术于一身，预计会在下几个季度成为我们的主打产品。

制造商:Texas Instruments 产品种类:LVDS 接口集成电路 RoHS:N 类型:LVDS 激励器数量:8 Driver 接收机数量:48 Receiver 数据速率:5380 Mb/s 输入类型:CMOS, TTL 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 最小工作温度:- 10 C 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-100 封装:Tube 高度:1 mm 最大输入电压:100 mV 长度:14 mm 系列:DS90C387 宽度:14 mm 商标:Texas Instruments 开发套件:LDI3V8BT-112 最小输入电压:- 100 mV 最大输出电压:450 mV 湿度敏感性:Yes 工作电源电压:3.3 V Pd-功率耗散:2.8 W 产品类型:LVDS Interface IC 工厂包装数量:90 子类别:Interface ICs 单位重量:657 mg

意法半导体 (ST)已经拥有种类齐全的闪存产品，其中包括针对低功率无线系统优化的产品，以及适合移动电话、寻呼机和个人数字助理PDA等便携嵌入式应用的闪存系列。

新的M58WR064ET和M58WR064EB兼有高密度、低功耗、较大的编程吞吐量、小型封装以及多片体系结构提供的高度灵活性。所有这些特性对于移动市场是非常重要的。

使用两个增强型工厂编程命令，可以加快编程速度。

SH7058F提供104MIPS，能执行精密而又精细控制运行的精密复杂的软件。

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