NCP1550集成了反馈电阻关断模式下的电流消耗
发布时间:2021/1/13 12:43:24 访问次数:165
CMOS传感器还受益于巨大的规模经济和计算机分辨率的专门技术，因为CMOS采用与逻辑电路和微处理器芯片相同的制造技术。
成本节省源自这样的一个事实：CMOS(互补型-金属-氧化-半导体）传感器，采用计算机芯片标准技术制造，效率优于具有30年历史的CCD器件。此外，CMOS技术的应用表明，在一枚芯片上，CMOS图像传感器可以和逻辑电路集成在一起，而CCD图像技术不易实现这个功能。
制造商:Kioxia 产品种类:NAND闪存 RoHS: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 存储容量:4 Gbit 接口类型:Parallel 组织:512 M x 8 定时类型:Synchronous 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:30 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NAND 产品:NAND Flash 速度:25 ns 结构:Block Erase 商标:Kioxia America 有源读取电流（最大值）:30 mA 最大时钟频率:- 湿度敏感性:Yes 产品类型:NAND Flash 96 子类别:Memory & Data Storage
NCP1550具有芯片使能功能，降低了手持式电子设备在关断模式下的电流消耗(0.3uA)。NCP1550集成了反馈电阻网络，减少外接元件数量，极大缩小占用的电路板空间并简化设计。由于NCP1550要求外接尺寸小、厚度薄的元件，进一步缩小电路板空间，及节省整体成本。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
CMOS传感器还受益于巨大的规模经济和计算机分辨率的专门技术，因为CMOS采用与逻辑电路和微处理器芯片相同的制造技术。
成本节省源自这样的一个事实：CMOS(互补型-金属-氧化-半导体）传感器，采用计算机芯片标准技术制造，效率优于具有30年历史的CCD器件。此外，CMOS技术的应用表明，在一枚芯片上，CMOS图像传感器可以和逻辑电路集成在一起，而CCD图像技术不易实现这个功能。
制造商:Kioxia 产品种类:NAND闪存 RoHS: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 存储容量:4 Gbit 接口类型:Parallel 组织:512 M x 8 定时类型:Synchronous 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:30 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NAND 产品:NAND Flash 速度:25 ns 结构:Block Erase 商标:Kioxia America 有源读取电流（最大值）:30 mA 最大时钟频率:- 湿度敏感性:Yes 产品类型:NAND Flash 96 子类别:Memory & Data Storage
NCP1550具有芯片使能功能，降低了手持式电子设备在关断模式下的电流消耗(0.3uA)。NCP1550集成了反馈电阻网络，减少外接元件数量，极大缩小占用的电路板空间并简化设计。由于NCP1550要求外接尺寸小、厚度薄的元件，进一步缩小电路板空间，及节省整体成本。
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