INT-A-Pak模块的绝缘栅双极晶体管IGBT开关
发布时间:2021/1/13 8:53:31 访问次数:206
每个开关用两个标准速度IGBT并联做成，200A时的正向压降为1.19V。
很低的饱和电压是要用在导通损耗必须要尽可能低的地方，如TIG焊接机和在线UPS。两个IGBT的栅极中的每一个栅极都是通过自身的控制端进行控制，允许单独的栅极驱动。
快速周期随机存取存储器(FCRAM)TC59LM818DMB-30/33/40，有业界最快的随机存取时间，低到20ns，比以前的产品，带宽提高了66%,存取时间减少了20%。
电压调节准确度:1.8 % 开发套件:ISL80103EVAL2Z 线路调整率:0.1 % 负载调节:- 0.8 % 湿度敏感性:Yes 产品类型:LDO Voltage Regulators 工厂包装数量1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:22 mg
IAP开关模块是用封装在单一的INT-A-Pak模块的绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关做成，可带或不带并联二极管。这种新的绝缘模块，和分立的解决方案相比，更可靠，装配成本更低和更加稳定。
GA100TS60SQ是全绝缘半桥式模快，用IR公司的标准速度IGBT做成，100A时的正向压降为1.11V，有快速反向恢复QuietIR二极管。
辅助发射极端用来阻塞大输出电流从驱动电路流入集电极-发射极，降低了开关能量和开关时间。GA200HS60S和 GA100TS60SQ相似，没有二极管，额定电流250A。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
每个开关用两个标准速度IGBT并联做成，200A时的正向压降为1.19V。
很低的饱和电压是要用在导通损耗必须要尽可能低的地方，如TIG焊接机和在线UPS。两个IGBT的栅极中的每一个栅极都是通过自身的控制端进行控制，允许单独的栅极驱动。
快速周期随机存取存储器(FCRAM)TC59LM818DMB-30/33/40，有业界最快的随机存取时间，低到20ns，比以前的产品，带宽提高了66%,存取时间减少了20%。
电压调节准确度:1.8 % 开发套件:ISL80103EVAL2Z 线路调整率:0.1 % 负载调节:- 0.8 % 湿度敏感性:Yes 产品类型:LDO Voltage Regulators 工厂包装数量1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:22 mg
IAP开关模块是用封装在单一的INT-A-Pak模块的绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关做成，可带或不带并联二极管。这种新的绝缘模块，和分立的解决方案相比，更可靠，装配成本更低和更加稳定。
GA100TS60SQ是全绝缘半桥式模快，用IR公司的标准速度IGBT做成，100A时的正向压降为1.11V，有快速反向恢复QuietIR二极管。
辅助发射极端用来阻塞大输出电流从驱动电路流入集电极-发射极，降低了开关能量和开关时间。GA200HS60S和 GA100TS60SQ相似，没有二极管，额定电流250A。
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