双极晶体管HBT射频RF低压降线性调整器
发布时间:2021/1/9 13:09:24 访问次数:923
LX5503是用先进的铟镓磷(InGaP)/砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)射频(RF)IC制造工艺来制造的，它使用单一3.3V电源，有源偏置以改善热性能，I/O预匹配，占位面积3-mm2和0.9mm高的微引线封装。
Au1100处理器具有高性能、低功耗，高集成度特性，适用于网络无线终端、远程信息处理、个人数字助理(PDA)等非PC的无线互联设备。
AMD 魔力Au1100处理器采用399脚的PBGA封装。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列: 商标:STMicroelectronics 产品类型:MOSFET 1800 子类别:MOSFETs 单位重量:76 mg
通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W
MAX1819，是500毫安低压降线性调整器，其工作电压为2.5伏到5伏。
一个内部的PMOS传输三级管允许像125微安那样低的电流来维持负载的独立性,因此延长了便携设备如PDA,手机,无绳电话,数码照相机,或笔记本电脑中的电池使用时间.当逻辑控制关闭时，这个电流甚至可以减小到0.1微安。
MAX1819的特点是有一个低电平作用的漏极开路重置输出来显示输出异常时短路保护和过热保护.器件是6引脚封装，工作温度是-40摄氏度到85摄氏度.
LX5503是用先进的铟镓磷(InGaP)/砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)射频(RF)IC制造工艺来制造的，它使用单一3.3V电源，有源偏置以改善热性能，I/O预匹配，占位面积3-mm2和0.9mm高的微引线封装。
Au1100处理器具有高性能、低功耗，高集成度特性，适用于网络无线终端、远程信息处理、个人数字助理(PDA)等非PC的无线互联设备。
AMD 魔力Au1100处理器采用399脚的PBGA封装。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列: 商标:STMicroelectronics 产品类型:MOSFET 1800 子类别:MOSFETs 单位重量:76 mg
通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W
MAX1819，是500毫安低压降线性调整器，其工作电压为2.5伏到5伏。
一个内部的PMOS传输三级管允许像125微安那样低的电流来维持负载的独立性,因此延长了便携设备如PDA,手机,无绳电话,数码照相机,或笔记本电脑中的电池使用时间.当逻辑控制关闭时，这个电流甚至可以减小到0.1微安。
MAX1819的特点是有一个低电平作用的漏极开路重置输出来显示输出异常时短路保护和过热保护.器件是6引脚封装，工作温度是-40摄氏度到85摄氏度.
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