5V栅驱动更高频率500kHz到1MHz以及采用5V栅驱动的任何频率，Si4858DY有更低的栅极电荷30.5nC和在4.5V栅驱动时导通电阻7m欧姆.

Siliconix的Si4860DY是为低端和高端工作而设计的.在4.5V栅驱动时导通电阻11m欧姆，使得该器件在低端工作时导通损耗低.作为高端MOSFET，Si4860DY降低了开关损耗，导致更高效率的控制.

该器件的开态延迟时间为18ns,低栅极电荷典型值为12nC，比能处理10到25A输出电流的同类产品低27%.因此当用在高端和低端时，Si4860DY的导通电阻和栅极电荷的乘积要比同类产出产品低大约22%.

制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.05 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:30 A Pd

功率耗散:217 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:600 nA 产品类型:IGBT Transistors 240 子类别:IGBTs 商标名: 零件号别名:SP000674422 IKW15N12H3XK IKW15N120H3FKSA1 单位重量:38 g

加密系统加装一个协处理器，提供高度保密功能。这种协处理器能对公共密钥结构(PKI)进行指数乘法/除法运算。金融卡和其它需要高度安全的应用，微控制器通过几个片上保密功能如片中关键逻辑电路盾牌保护，检测和其它机制等来强有力地保护数据。

AE45X-B外部接触型接口符合ISO/IEC 7816标准，它能调整卡的物理特性，引脚的大小和位置，信号协议和指令。非接触型接口符合ISO/IEC 14443 B型标准，它能调整卡的物理特性，射频功率和信号接口，防冲突处理和传输协议。