Si4364DY的5.5 m欧姆低导通电阻和栅极电荷62nC
发布时间:2021/1/9 12:17:42 访问次数:259
内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路，同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比，这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.Si4364DY 和Si4858DY是优化而用在低端同步整流，最大限度地降低导通损耗，增加效率，通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
Si4364DY的5.5 m欧姆低导通电阻和栅极电荷62nC，可使它用在200到300kHz的频率范围，其栅极驱动采用5V.
芯片液晶显示器(LCD)，其型号为DV3002。
湿度敏感性:Yes ADC通道数量:16 Channel 计时器/计数器数量:3 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 单位重量:1.319 g
-20°C到70°C的极端温度和高湿度，DV3002适用在用电池工作的设备，它的重量和环境都是严格要求的，例如过程控制设备，移动数据采集设备和手提仪表。LCD的平均故障间隔时间(MTBF)超过10万小时，在5V时消耗50uA的电流。
DV3002的尺寸为69.5X20.05mm，高度为2.85mm,有效显示面积为61X15.1mm，给设计者在小封装中提供大的显示面积。它的正极模式超级扭曲向列(STN)液体能提供大的视角和改善在阳光下的可读性。
内置LCD控制器有字符产生器，提供225种5x7阿拉伯数字式样和符号，以减少编程工作量。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路，同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比，这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.Si4364DY 和Si4858DY是优化而用在低端同步整流，最大限度地降低导通损耗，增加效率，通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
Si4364DY的5.5 m欧姆低导通电阻和栅极电荷62nC，可使它用在200到300kHz的频率范围，其栅极驱动采用5V.
芯片液晶显示器(LCD)，其型号为DV3002。
湿度敏感性:Yes ADC通道数量:16 Channel 计时器/计数器数量:3 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 单位重量:1.319 g
-20°C到70°C的极端温度和高湿度，DV3002适用在用电池工作的设备，它的重量和环境都是严格要求的，例如过程控制设备，移动数据采集设备和手提仪表。LCD的平均故障间隔时间(MTBF)超过10万小时，在5V时消耗50uA的电流。
DV3002的尺寸为69.5X20.05mm，高度为2.85mm,有效显示面积为61X15.1mm，给设计者在小封装中提供大的显示面积。它的正极模式超级扭曲向列(STN)液体能提供大的视角和改善在阳光下的可读性。
内置LCD控制器有字符产生器，提供225种5x7阿拉伯数字式样和符号，以减少编程工作量。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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