使用平面脉冲变压器与更传统光耦合器和信号变压器一起工作
发布时间:2024/1/1 0:00:04 访问次数:30
隔离技术用于隔离反馈。这项专利隔离技术称为Inde-Flux变压器技术,已向Würth Elektronik eiSos公司授权。Inde-Flux变压器(部件编号750318659)是Würth Elektronik eiSos利用该专利制造的第一款变压器,将作为Microchip 15W MCP1012离线参考设计的组件.
全新参考设计还可以选择采用更传统的方法,使用平面脉冲变压器,与更传统的光耦合器和信号变压器一起工作。
SC910GS与SC410GS创新性地采用区域HDR技术.
制造商:Murata产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMTRoHS: 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel电容:0.033 uF电介质:X7R容差:10 %外壳代码 - in:2220外壳代码 - mm:5750高度:2.5 mm最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C
产品:Safety Certified MLCCs端接类型:SMD/SMT系列:长度:5.7 mm封装 / 箱体:2220 (5750 metric)类型:Safety Standard Certified Class X1/Y2电压额定值 AC:250 VAC宽度:5 mm商标:Murata Electronics电容-nF:33 nF电容-pF:33000 pF产品类型:Ceramic Capacitors500子类别:Capacitors单位重量:480 mg
Global Shutter由于pixel结构和工艺的复杂性,尤其是大版面的Global Shutter 技术更具有设计挑战性,因此过去主要为国外技术所垄断。
采用Voltage Domain SmartGS®技术,实现了业界首家BSI/3D stack BSI Global Shutter 图像传感器的研发和量产,凭借第一代SmartGS®技术在感度、宽动态、短曝光时间控制等方面的突破性优势,思特威目前已跃居国内Global Shutter CIS出货量龙头地位。
在信号灯区域与其他区域采用不同的曝光时间进行成像,动态范围提升了24dB.
隔离技术用于隔离反馈。这项专利隔离技术称为Inde-Flux变压器技术,已向Würth Elektronik eiSos公司授权。Inde-Flux变压器(部件编号750318659)是Würth Elektronik eiSos利用该专利制造的第一款变压器,将作为Microchip 15W MCP1012离线参考设计的组件.
全新参考设计还可以选择采用更传统的方法,使用平面脉冲变压器,与更传统的光耦合器和信号变压器一起工作。
SC910GS与SC410GS创新性地采用区域HDR技术.
制造商:Murata产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMTRoHS: 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel电容:0.033 uF电介质:X7R容差:10 %外壳代码 - in:2220外壳代码 - mm:5750高度:2.5 mm最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C
产品:Safety Certified MLCCs端接类型:SMD/SMT系列:长度:5.7 mm封装 / 箱体:2220 (5750 metric)类型:Safety Standard Certified Class X1/Y2电压额定值 AC:250 VAC宽度:5 mm商标:Murata Electronics电容-nF:33 nF电容-pF:33000 pF产品类型:Ceramic Capacitors500子类别:Capacitors单位重量:480 mg
Global Shutter由于pixel结构和工艺的复杂性,尤其是大版面的Global Shutter 技术更具有设计挑战性,因此过去主要为国外技术所垄断。
采用Voltage Domain SmartGS®技术,实现了业界首家BSI/3D stack BSI Global Shutter 图像传感器的研发和量产,凭借第一代SmartGS®技术在感度、宽动态、短曝光时间控制等方面的突破性优势,思特威目前已跃居国内Global Shutter CIS出货量龙头地位。
在信号灯区域与其他区域采用不同的曝光时间进行成像,动态范围提升了24dB.