线性极化和50-欧姆的阻抗N沟TrenchFET功率MOSFET器件
发布时间:2021/1/5 18:03:32 访问次数:713
由于光耦的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。
它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大增加计算机工作的可靠性。
光耦合器现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
商标名:CoolMOS 封装:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 长度:10.65 mm 系列:CoolMOS CE 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.85 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:7.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6.4 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40 ns 典型接通延迟时间:8 ns 零件号别名:IPA50R280CE SP001217218 单位重量:6 g
紧凑的低成本的全方向槽式天线,用于Wi-Fi(802.11),无线LAN(WLAN),无线互联网,条形码扫描和采购终端机无线识别(RF ID)。
槽式天线能很容易安装,型号703611可用在2.4-2.485GHz频段,全方向平台,天线增益为0dBi。VSWR(电压驻波比)为2.0比1.0,线性极化和50-欧姆的阻抗,其重量为0.0075kg。
五种N沟TrenchFET功率MOSFET器件,目标应用是单/双单元锂离子和锂聚合物电池盒和电路。
现在可提供Si8900EDB, Si8902EDB, Si6876EDQ, Si688EDQ和Si7902EDN的样品和量产。
由于光耦的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。
它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大增加计算机工作的可靠性。
光耦合器现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
商标名:CoolMOS 封装:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 长度:10.65 mm 系列:CoolMOS CE 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.85 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:7.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6.4 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40 ns 典型接通延迟时间:8 ns 零件号别名:IPA50R280CE SP001217218 单位重量:6 g
紧凑的低成本的全方向槽式天线,用于Wi-Fi(802.11),无线LAN(WLAN),无线互联网,条形码扫描和采购终端机无线识别(RF ID)。
槽式天线能很容易安装,型号703611可用在2.4-2.485GHz频段,全方向平台,天线增益为0dBi。VSWR(电压驻波比)为2.0比1.0,线性极化和50-欧姆的阻抗,其重量为0.0075kg。
五种N沟TrenchFET功率MOSFET器件,目标应用是单/双单元锂离子和锂聚合物电池盒和电路。
现在可提供Si8900EDB, Si8902EDB, Si6876EDQ, Si688EDQ和Si7902EDN的样品和量产。