2MHz开关控制器同步电压转换2A至25A电流
发布时间:2021/1/4 12:45:41 访问次数:381
全新的高性能同步开关稳压控制器。这两款芯片的输出电压极低，可支持最新的 FPGA、微控制器以及数字信号处理器 (DSP) 核心。
这两款新推出的 2MHz 开关控制器可以采用 5 伏 (V) 至 16 伏供电，所提供的稳压输出可低至 0.6 伏。因此可为需要 2A 至 25A 电流支持的机顶盒(set-top-box)、ADSL 及有线调制解调器、硬盘驱动器及大型液晶显示器等应用方案提供同步电压转换，最适合为有线供电系统提供一般性的降压转换功能。
输出电流:350 mA 电源电压-最小:10 V 电源电压-最大:20 V 上升时间:220 ns 下降时间:80 ns 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Independent 高度:1.5 mm 长度:5 mm 技术:Si 宽度:4 mm
商标:Infineon / IR 逻辑类型:CMOS, TTL 传播延迟—最大值:300 ns 最大关闭延迟时间:280 ns 最大开启延迟时间:300 ns 湿度敏感性:Yes Pd-功率耗散:625 mW 产品类型:Gate Drivers 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
两种BGA封装的双N沟和双P沟的20V MOSFET，其物理特性和电性能都适合用在锂离子电池盒保护应用。四种器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安装的OSFET BGA封装，其漏极是共用的。
BGA封装具有小的占位面积(10平方mm),很小的体积(最大安装高度0.8mm)，极好的导通电阻和杰出的热性能，这进一步又减少散热片的尺寸。
这种双N沟和双P沟的20V MOSFET还可用在计算机/EDP。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
全新的高性能同步开关稳压控制器。这两款芯片的输出电压极低，可支持最新的 FPGA、微控制器以及数字信号处理器 (DSP) 核心。
这两款新推出的 2MHz 开关控制器可以采用 5 伏 (V) 至 16 伏供电，所提供的稳压输出可低至 0.6 伏。因此可为需要 2A 至 25A 电流支持的机顶盒(set-top-box)、ADSL 及有线调制解调器、硬盘驱动器及大型液晶显示器等应用方案提供同步电压转换，最适合为有线供电系统提供一般性的降压转换功能。
输出电流:350 mA 电源电压-最小:10 V 电源电压-最大:20 V 上升时间:220 ns 下降时间:80 ns 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Independent 高度:1.5 mm 长度:5 mm 技术:Si 宽度:4 mm
商标:Infineon / IR 逻辑类型:CMOS, TTL 传播延迟—最大值:300 ns 最大关闭延迟时间:280 ns 最大开启延迟时间:300 ns 湿度敏感性:Yes Pd-功率耗散:625 mW 产品类型:Gate Drivers 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
两种BGA封装的双N沟和双P沟的20V MOSFET，其物理特性和电性能都适合用在锂离子电池盒保护应用。四种器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安装的OSFET BGA封装，其漏极是共用的。
BGA封装具有小的占位面积(10平方mm),很小的体积(最大安装高度0.8mm)，极好的导通电阻和杰出的热性能，这进一步又减少散热片的尺寸。
这种双N沟和双P沟的20V MOSFET还可用在计算机/EDP。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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