980nm波长泵激光二极管ML861E5S，它能输出超高峰值功率1100mW，而不会对密集波分多路复用(DWDM)应用带来灾难性的光学损害(COD)。不需冷却的ML8627S激光二极管在大城市区域网的应用中，在整个温度范围提供优异的波长稳定性。两种二极管用作掺尔光纤放大器(EDFA)的泵源。

传统上采用低频分立器件的方法不能充分满足这些电源系统的要求。

NIS3001填补了这项技术空缺，它在1MHz下能提供高达20安培的电流。它还能将先进微处理器平台上的电源功效提升4%。NIS3001率先采用安森美半导体创新的PInPAK?(电源集成封装)技术。

412

射频无线杂项

253

信号调节

3,575

厚膜电阻器 - SMD

2,369,482

多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT

180,390

多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT

185,981

薄膜电容器

1,000

稳压二极管

13,974

固定电感器

1,646

多路复用开关 IC

12,806

M8627S的指标：输出功率为200mW(25度C的典型值);阈值电流为70mA(25度C的典型值)；波长稳定度：980 +/- 10 nm (0-200 mW; 0-70 度C)；激光束分散度：平行8度，垂直19度；纵横比小于2.5。

现在可提供ML861E5S的样品，封装为TO-CAN或载体上芯片.

将全面测试过的模拟驱动器封装与分立开关共同封装，这是直流/直流转换器的创举。这种封装套封装的方法确保了'高良率裸片'，并提高了高频电源设计的性能，更简化了混合技术的制造程序。

NIS3001由QFN封装的CMOS模拟门驱动器NCP5351和两个MOSFET裸芯片组成。高边的NTC60N02R和低边的NTC95N02 MOSFETs结合了安森美半导体的专利HD3E平面技术，具有世界级转换性能。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）