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高频时钟ZSPTM数字的模数变换高精度特点

发布时间:2021/1/2 16:34:55 访问次数:436

这些CoreWare®库包括有ARM公司的ARM1026EJ-STM, ARM926EJ-STM, ARM946E-STM, ARM966E-STM, ARM7EJ-STM和 ARM7TDMI-STM处理器内核,MIPS公司的MIPS64TM 5KfTM and MIPS32TM 4KEcTM处理器内核以及ZSPTM数字信号处理器内核。

大量的处理器外设,处理器子系统全系列参考设计以及SoC设计所需的处理器平台。该产品的工作电压为DDR SDRAM存储器核的性能。

以处理32/64/128位宽度的数据总线,支持X4,X8,X16和X32的存储器宽度。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-263-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:210 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:120 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:4.4 mm 长度:10 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:9.25 mm 商标:Infineon / IR 正向跨导 - 最小值:210 S 下降时间:83 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:82 ns 工厂包装数量:800 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:55 ns 典型接通延迟时间:19 ns 单位重量:4 g

微转换器系列产品AduC831,AduC841,AduC832和AduC842,单片数据采集系统系列产品。新器件保持了原有产品的模数变换高精度特点,而片上存储器容量增加了八倍,以适应更大的程序和C程序的需要。

AduC831/841,代替AduC812,能用在需要更大存储器容量和/或更高内核速度的地方。所不同是,ASDuC831每指令有12时钟,最高时钟速率为16MHz,而AduC841每指令有1时钟,最高时钟速率3V时为16MHz,5V时为25MHz。高频时钟是由外部提供。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



这些CoreWare®库包括有ARM公司的ARM1026EJ-STM, ARM926EJ-STM, ARM946E-STM, ARM966E-STM, ARM7EJ-STM和 ARM7TDMI-STM处理器内核,MIPS公司的MIPS64TM 5KfTM and MIPS32TM 4KEcTM处理器内核以及ZSPTM数字信号处理器内核。

大量的处理器外设,处理器子系统全系列参考设计以及SoC设计所需的处理器平台。该产品的工作电压为DDR SDRAM存储器核的性能。

以处理32/64/128位宽度的数据总线,支持X4,X8,X16和X32的存储器宽度。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-263-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:210 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:120 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:4.4 mm 长度:10 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:9.25 mm 商标:Infineon / IR 正向跨导 - 最小值:210 S 下降时间:83 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:82 ns 工厂包装数量:800 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:55 ns 典型接通延迟时间:19 ns 单位重量:4 g

微转换器系列产品AduC831,AduC841,AduC832和AduC842,单片数据采集系统系列产品。新器件保持了原有产品的模数变换高精度特点,而片上存储器容量增加了八倍,以适应更大的程序和C程序的需要。

AduC831/841,代替AduC812,能用在需要更大存储器容量和/或更高内核速度的地方。所不同是,ASDuC831每指令有12时钟,最高时钟速率为16MHz,而AduC841每指令有1时钟,最高时钟速率3V时为16MHz,5V时为25MHz。高频时钟是由外部提供。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



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