输出电压0.8375V和1.6V振荡器产生的IF信号
发布时间:2021/1/2 15:30:45 访问次数:252
根据FCC最近的要求,数字TV调谐器要在2到5年内安装在新的电视机,东芝公司公布了数字电视调谐器完整的RF解决方案。它集成了数字电视(DTV)调谐器所需要的分立器件,以帮助TV制造商来实现FCC的新要求。
在下一级,信号被送到增益控制部分。在典型的设计中,增益控制部分有一个锁相环的两级混频器和44MHz放大器组成。PLL电路保证所需的频率处于锁住。在增益控制部分,有用信号被送到最后一级混频器,它混合了有用信号和从振荡器产生的IF信号,而"混合"信号从调谐器输出。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:1.6 A Rds On-漏源导通电阻:235 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:2.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.3 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:5.7 s 下降时间:3.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:2.1 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:9 ns 单位重量:8 mg
多相CPU功率控制器ADP3168和驱动电路ADP3418,两者结合起来形成高效率的多相同步降压开关式调整器,以满足Intel VRD/VRM 10 功率指标。这些器件把12V主电源转换成高度精确的Intel下一代处理器内核的供电电源。温度补偿的电感电流传感,提供了最低成本的高精确度。
ADP3168直接从处理器中读取电压识别码(VID),把输出电压定在0.8375V 和1.6V之间。Flex-modeTMPWM结构提供高度稳定高速控制的回路,以驱动每相高达1MHz的逻辑电平,满足Intel所提出的以尽可能少的输出电容的苛刻的瞬态要求。
根据FCC最近的要求,数字TV调谐器要在2到5年内安装在新的电视机,东芝公司公布了数字电视调谐器完整的RF解决方案。它集成了数字电视(DTV)调谐器所需要的分立器件,以帮助TV制造商来实现FCC的新要求。
在下一级,信号被送到增益控制部分。在典型的设计中,增益控制部分有一个锁相环的两级混频器和44MHz放大器组成。PLL电路保证所需的频率处于锁住。在增益控制部分,有用信号被送到最后一级混频器,它混合了有用信号和从振荡器产生的IF信号,而"混合"信号从调谐器输出。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:1.6 A Rds On-漏源导通电阻:235 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:2.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.3 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:5.7 s 下降时间:3.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:2.1 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:9 ns 单位重量:8 mg
多相CPU功率控制器ADP3168和驱动电路ADP3418,两者结合起来形成高效率的多相同步降压开关式调整器,以满足Intel VRD/VRM 10 功率指标。这些器件把12V主电源转换成高度精确的Intel下一代处理器内核的供电电源。温度补偿的电感电流传感,提供了最低成本的高精确度。
ADP3168直接从处理器中读取电压识别码(VID),把输出电压定在0.8375V 和1.6V之间。Flex-modeTMPWM结构提供高度稳定高速控制的回路,以驱动每相高达1MHz的逻辑电平,满足Intel所提出的以尽可能少的输出电容的苛刻的瞬态要求。