多端口DDR存储器器控制器，和昨天公布的LSI Logic公司的DDR PHY 核一起，给LSI Logic公司的客户提供了芯片上系统(SoC)ASIC和Rapid Chip设计的完整的DDR存储器系统接口解决方案。

DDR控制器支持8个32/64位可配置的端口。这种灵活的结构能很容易支持新的线路缓冲器写入总线配置，判定方案和128/256/512M位DDR存储器。在它的默认配置，存储器控制器提供片上接口，支持多个高级微控制器结构(AMBATM)ABH线路缓冲器，其配置宽度和深度适用于完整的多端口AMBA存储器子系统。可配置的结构也允许定制以满足特殊用户的需要如等待时间和带宽。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V 集电极—基极电压 VCBO:100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 最大直流电集电极电流:6 A Pd-功率耗散:65 W 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Tube 直流电流增益 hFE 最大值:75 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 技术:Si 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:6 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:15 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 1000 子类别:Transistors 单位重量:6 g

新型微转换器系列产品AduC831,AduC841,AduC832和AduC842，扩充了该公司单片数据采集系统系列产品。新器件保持了原有产品的模数变换高精度特点，而片上存储器容量增加了八倍，以适应更大的程序和C程序的需要。

AduC831/841，代替AduC812，能用在需要更大存储器容量和/或更高内核速度的地方。所不同是，ASDuC831每指令有12时钟，最高时钟速率为16MHz,而AduC841每指令有1时钟，最高时钟速率3V时为16MHz,5V时为25MHz。高频时钟是由外部提供。

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