Nch与Pch栅极沟槽的电场双极线性宽带放大器
发布时间:2020/12/28 18:10:35 访问次数:1116
通过优化元件结构并采用有利于改善电场集中问题的新设计,进一步提高了产品品质,并使普遍认为相互矛盾的产品可靠性和低导通电阻两者同时得到兼顾,从而有助于追求高品质的工业设备长期稳定运行。
工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动,因此可简化电路结构,同时还有助于减轻设计负担。
MOSFET产品分为Nch与Pch两种,而高效率的Nch应用更为普遍,但在高边使用Nch MOSFET时,需要栅极电压高于输入电压,因此就存在电路结构变得更复杂的问题。而
标准包装:1类别:连接器,互连器件家庭:圆形连接器系列:2S包装:散装连接器类型:插头,母插口和公引脚针脚数:2外壳尺寸 - 插件:302外壳尺寸,MIL:-安装类型:自由悬挂,直角端接:焊杯紧固类型:推挽式,销锁朝向:带标记侵入防护:IP50 - 防尘外壳材料,镀层:黄铜,镀铬触头镀层:金特性:后壳,屏蔽触头镀层厚度:-额定电流:20A电压 - 额定:-工作温度:-55°C ~ 250°C
超紧凑双极线性RF单元包,可用于双极线性宽带放大器,双极差分放大器,调谐器中的上变换器,VHF/UHF放大器,中频(IF)放大器,CATV和其它通信设备。

新产品充分运用了迄今为止积累的可靠性相关的技术经验和诀窍,优化了元件结构,同时采用新设计,改善了最容易产生电场集中问题的栅极沟槽部分的电场分布,实现了品质的大幅度提升。
在不牺牲导通电阻的前提下,又成功提高了原本与之存在此起彼消关系的可靠性,从而可改善在高温偏压状态下的元件特性劣化问题,有助于追求更高品质的工业设备实现长期稳定运行。
丰富的产品阵容,有助于减少众多应用产品的设计工时并提高可靠性。
通过优化元件结构并采用有利于改善电场集中问题的新设计,进一步提高了产品品质,并使普遍认为相互矛盾的产品可靠性和低导通电阻两者同时得到兼顾,从而有助于追求高品质的工业设备长期稳定运行。
工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动,因此可简化电路结构,同时还有助于减轻设计负担。
MOSFET产品分为Nch与Pch两种,而高效率的Nch应用更为普遍,但在高边使用Nch MOSFET时,需要栅极电压高于输入电压,因此就存在电路结构变得更复杂的问题。而
标准包装:1类别:连接器,互连器件家庭:圆形连接器系列:2S包装:散装连接器类型:插头,母插口和公引脚针脚数:2外壳尺寸 - 插件:302外壳尺寸,MIL:-安装类型:自由悬挂,直角端接:焊杯紧固类型:推挽式,销锁朝向:带标记侵入防护:IP50 - 防尘外壳材料,镀层:黄铜,镀铬触头镀层:金特性:后壳,屏蔽触头镀层厚度:-额定电流:20A电压 - 额定:-工作温度:-55°C ~ 250°C
超紧凑双极线性RF单元包,可用于双极线性宽带放大器,双极差分放大器,调谐器中的上变换器,VHF/UHF放大器,中频(IF)放大器,CATV和其它通信设备。

新产品充分运用了迄今为止积累的可靠性相关的技术经验和诀窍,优化了元件结构,同时采用新设计,改善了最容易产生电场集中问题的栅极沟槽部分的电场分布,实现了品质的大幅度提升。
在不牺牲导通电阻的前提下,又成功提高了原本与之存在此起彼消关系的可靠性,从而可改善在高温偏压状态下的元件特性劣化问题,有助于追求更高品质的工业设备实现长期稳定运行。
丰富的产品阵容,有助于减少众多应用产品的设计工时并提高可靠性。