平衡差分模拟信号和时钟线，转而使用单端信号策略。这个重要的架构选择，标志着 Ka 波段功能应用与之前的应用的差异。这个决定带来了一些重要的优点。宇航级认证的器件较难获取，而找到合适的巴伦则更加困难。

器件都很昂贵，尺寸也不小。考虑到大多数的微波源都是单端的，这是个明智的决定。Teledyne e2v 的研发团队也在开发对应的发射路径解决方案。一款双路 12 位电流控制的 RF DAC 正在研发中，支持合成 Ka 波段频率产生。实验室测量的器件的典型宽带输出功率.

制造商

NXP USA Inc.

制造商零件编号

BF908R,235

描述

MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 射频-Mosfet-N-通道双门-pval-2140-pval-2159-200MHz-SOT-143R

晶体管类型 N 通道双门

频率 200MHz

增益 -

电压 - 测试 8V

额定电流（安培） 40mA

噪声系数 0.6dB

电流 - 测试 15mA

功率 - 输出 -

电压 - 额定 12V

封装/外壳 SOT-143R

供应商器件封装 SOT-143R

分立的解决方案需用多个IC和一个小功率SRAM器件来处理电池切换和写保护功能。M48Z32V仅在一个高度为0.12英寸(3.05mm)单片44引脚SOIC封装上就集中了所有这些功能。

灵活性体现在客户对电池的选择上，在外界温度40度、电池容量仅为18mAh时， M48Z32V的数据额定保存能力10年。很多系统已经配备了可随时为M48Z32V提供备用电源的电池，这意味M48Z32V不仅是一个小尺寸的NVRAM解决方案，而且还可降低产品的成本。

电池备用电源，M48Z32V还具有与普通SRAM一样的功能，可以很容易地嵌入任何设计中。