MOSFET 半导体的一个关键参数是 fmax(最大频率)。Fmax 以高频增益的形式体现了原始制程的性能。Fmax是晶体管功率增益降至 1 时的频率。多年来，随着门电路尺寸的减小，fmax 频率逐渐增加。不幸的是，现在频率的提升逐步减缓，甚至发生逆转。

在 28nm 时，fmax 的峰值大约是 360GHz。在 14nm 节点中，fmax 暴跌至 28nm 时的一半，即 160GHz。频率降低的原因是复杂的。制程寄生电阻和电容的增加，逐渐成为限制性能提高的主导因素。

闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程，以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率，进行低电流快速并行写入。

日立公司计划采用多层单元技术来开发1G位闪存和其它器件的闪存控制器。

采用工业标准300引脚MSA形式，参考设计/EVM能使生产者很快开发出OC-192VSR转发器。现在可提供SLK2504收发器的样品，为289引脚的BGA封装。

线缆宽带消费类电子的MT2050宽带调谐器/放大器包括有在单片上实现所有RF功能的所有有源电路。根据公司的介绍，和其它的至少要用两个片子和附加外部有源电路的RF解决方案相比，该器件降低RF材料清单成本25%，板的空间降低20%，而功耗减小11%。

器件的接收频率在48-860MHz之间，能把所选择的通道转换成标准的中频。所支持的中频包括NTSC，PAL和数字标准如DOCSIS1.1,DOCSIS2.0和 EuroDOCSIS所用的频率。

为了简化评估，MT2050 RF参考设计包括所有要用的软件和硬件。器件封在48引脚的MIL封装，仅消耗1.5W的功耗。