可热插拔的光纤收发模块在发射和接受部分集成了激光器控制电路和雪崩光电二极管，降低了NEM设计周期，缩短了产品的面市时间。内部集成的波长锁定器节约了空间，为未来的高密度DWDM应用提供了平台。

新型光纤收发模块为DWDM交换和路由设备、多业务光传输平台提供了光收发接口。该产品的传输距离现定为160km，未来的产品计划实现300km。新的光纤收发模块还可在35dB的光功率预算时，实现低功耗操作。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:9.4 A Rds On-漏源导通电阻:210 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:25 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:48 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 N-Channel 类型:HEXFET Power MOSFET 宽度:6.22 mm 商标:Infineon / IR 下降时间:23 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:23 ns 2000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:32 ns 典型接通延迟时间:4.5 ns 单位重量:4 g

多路分路器能工作在大于80Gbps的速率。它能把单一的串行高速数据流变换成收发器中的四路差分输出。因此可以用在无误差的OC-768网络系统。虽然这种多路分路器只工作在一半的速率，其速度已远高于SiGe电路，它的功耗却和SiGe电路的一样。例如，工作在40 Gbps时，半速率的多路分路器所消耗的功率仅仅为400毫瓦，是同一速度下的半速率SiGe电路的三分之一。

80 Gbps电路是基于半速率的结构，时钟上等效于工作在40 Gbps的全速电路。这些半速电路工作在80 Gbps时功耗为1.3瓦，在40 Gbps时为400毫瓦，可以和现在的OC-192系统中的相仿。

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