64K位X16位存储器磁隧道结芯片技术
发布时间:2020/12/22 22:44:10 访问次数:325
1M位磁阻随机存储器(MRAM)通用存储芯片。
1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。
存储器芯片技术能把多种存储器集成在单一芯片中。不需要多种类型存储器导致更小型的产品，更多的功能。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:38.3 A Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:21.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:19.8 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 长度:3.3 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:3.3 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:54 S 下降时间:7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:463.221 mg
MWAM技术也给汽车工业带来好处。它能用来满足智能卡的需要，这种智能卡需要有效和成本效率的非挥发性的存储器，它能工作在高速度，在读写周期有大交换量。它也有可能改善诸如通信和无钥匙开车门的功能。公司计划在2004年大量生产。
一个晶体管(1T)和一个磁隧道结(MTJ)组成的1M位MRAM，其读写周期小于50ns。64K位X16位存储器的设计是根据0.6umCMOS工艺，在200mm衬底用铜互连来制造。在铜互连导线上的磁性材料覆层结构能减少写入程序所需功率四倍。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
1M位磁阻随机存储器(MRAM)通用存储芯片。
1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。
存储器芯片技术能把多种存储器集成在单一芯片中。不需要多种类型存储器导致更小型的产品，更多的功能。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:38.3 A Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:21.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:19.8 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 长度:3.3 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:3.3 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:54 S 下降时间:7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:463.221 mg
MWAM技术也给汽车工业带来好处。它能用来满足智能卡的需要，这种智能卡需要有效和成本效率的非挥发性的存储器，它能工作在高速度，在读写周期有大交换量。它也有可能改善诸如通信和无钥匙开车门的功能。公司计划在2004年大量生产。
一个晶体管(1T)和一个磁隧道结(MTJ)组成的1M位MRAM，其读写周期小于50ns。64K位X16位存储器的设计是根据0.6umCMOS工艺，在200mm衬底用铜互连来制造。在铜互连导线上的磁性材料覆层结构能减少写入程序所需功率四倍。
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