VD1存在导通与截止两种情况，在VD1截止时对录音信号无分流作用，在导通时则对录音信号进行分流。在VD1正极上接有电阻R1，它给VD1一个控制电压，显然这个电压控制着VD1导通或截止。R1送来的电压是分析VD1导通、截止的关键所在。

利用了二极管导通后其正向电阻与导通电流之间的关系特性进行电路分析，即二极管的正向电流愈大，其正向电阻愈小，流过VD1的电流愈大，其正极与负极之间的电阻愈小，反之则大。

制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 类型:SDRAM - DDR1 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-66 数据总线宽度:8 bit 组织:64 M x 8 存储容量:512 Mbit 最大时钟频率:200 MHz 电源电压-最大:2.7 V 电源电压-最小:2.5 V 电源电流—最大值:85 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 工厂包装数量1080 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:9.140 g

AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET，低边MOSFET的最大导通电阻低至8.6 mW。

与单个MOSFET解决方案相比，通过将两个TrenchFET® MOSFET封装在一个非对称封装中，今天发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求，同时提高了功率密度。

(素材来源：21IC和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）