DDR3-1066 SDRAM的能耗低于DDR2-800 SDRAM，因为DDR3 SDRAM 的工作电压是1.5 V，是DDR2SDRAM 的83%，DDR2 SDRAM 的工作电压是1.8 伏。DDR3 SDRAM数据DQ驱动器的阻抗是34欧姆，DDR2 SDRAM 的阻抗较低，是18 欧姆。

表3. 预计的DDR3 SDRAM 数据速率和时钟速度

DDR3 SDRAM 将从512 Mb 内存开始，将来将发展到8 Gb 内存。与DDR2 SDRAM 一样，DDR3 SDRAM 数据输出配置包括x4、x8 和x16。

连接器类型：接头触头类型：公形引脚间距 - 配接：0.098"（2.50mm）针脚数：7排数：1加载的针脚数：全部样式：板至电缆/导线护罩：带遮蔽 - 4 墙安装类型：通孔，直角端接：焊接紧固类型：推挽式接触长度 - 配接：0.177"（4.50mm）接触长度 - 接线柱：0.142"（3.60mm）绝缘高度：0.224"（5.69mm）触头形状：方形触头表面处理 - 配接：锡触头表面处理厚度 - 配接：39.4μin（1.00μm）触头表面处理 - 柱：锡触头材料：黄铜绝缘材料：聚酰胺（PA），尼龙特性：键槽工作温度：-35°C ~ 85°C材料可燃性等级：UL94 V-0绝缘颜色：白色额定电压：150V无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

DDR3 SDRAM 有8 个内存条，DDR2 SDRAM 则有4 个或8 个内存条，具体视内存大小而定。

DDR2 和DDR3 SDRAM 都有4 个模式寄存器。DDR2 定义了前两个模式寄存器，另两个模式寄存器则预留给将来使用。DDR3使用全部4个模式寄存器。

其缺点RFID 成本较为昂贵，加上配套的发射器、读取机、编码器以及天线等设备，成本进一步提高；RFID 标签一旦接近读取器，就会无条件触发发出信息，因此涉及隐私问题；

存在金属、水分的环境条件下，会对 RFID 识别产生干扰，影响信息读取。