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DDR SDRAM 的2.5V 功率的72%被动和半主动的方式

发布时间:2020/12/19 22:27:30 访问次数:478

通过提供ODT (芯片内端接),并提供ODT 信号,实现片内端接,并能够使用DDR2 SDRAM 扩展模式寄存器对片内端接值编程(75 欧姆、150 欧姆等等),DDR2SDRAM 改善了信号完整性。

片内端接大小和操作由内存控制器中心控制,与DDR2SDRAM DIMM 的位置及内存操作类型(读取或写入)有关。通过为数据有效窗口创建更大的眼图,提高电压余量、提高转换速率、降低过冲、降低ISI (码间干扰),ODT操作改善了信号完整性。

DDR2 SDRAM 在1.8V 上操作,降低了内存系统的功率,这一功率是DDR SDRAM 的2.5V 功率的72%。

外观尺寸:2.5 in产品:SATA Flash Drives存储容量:4 GB连续读取:150 MB/s连续写入:50 MB/s工作电源电压:5 V配置:SLC最大工作温度:+ 85 C尺寸:70 mm x 48.66 mm x 9.25 mm有源模式电流:333 mA商标:Apacer连接器类型:7-pin signal, 15-pin power最小工作温度:- 40 C系列:SAFD-25M4ROHS:无铅

RFID 可按照工作频率、供电方式、应用范围和读写类型分为四大类被。

按工作频率可分为低频、低频、高频、超高频和微波,频率不同传播速度、传播距离不同;

按供电方式可分为有源、无源、半有源三种方式,对应主动、被动和半主动的获取能量方式;

按应用范围可分为针对企业和行业的闭环应用,以及跨行业的开环方式;

按读写类型可分为可读写卡,一次写入多次读出卡和只读卡。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

通过提供ODT (芯片内端接),并提供ODT 信号,实现片内端接,并能够使用DDR2 SDRAM 扩展模式寄存器对片内端接值编程(75 欧姆、150 欧姆等等),DDR2SDRAM 改善了信号完整性。

片内端接大小和操作由内存控制器中心控制,与DDR2SDRAM DIMM 的位置及内存操作类型(读取或写入)有关。通过为数据有效窗口创建更大的眼图,提高电压余量、提高转换速率、降低过冲、降低ISI (码间干扰),ODT操作改善了信号完整性。

DDR2 SDRAM 在1.8V 上操作,降低了内存系统的功率,这一功率是DDR SDRAM 的2.5V 功率的72%。

外观尺寸:2.5 in产品:SATA Flash Drives存储容量:4 GB连续读取:150 MB/s连续写入:50 MB/s工作电源电压:5 V配置:SLC最大工作温度:+ 85 C尺寸:70 mm x 48.66 mm x 9.25 mm有源模式电流:333 mA商标:Apacer连接器类型:7-pin signal, 15-pin power最小工作温度:- 40 C系列:SAFD-25M4ROHS:无铅

RFID 可按照工作频率、供电方式、应用范围和读写类型分为四大类被。

按工作频率可分为低频、低频、高频、超高频和微波,频率不同传播速度、传播距离不同;

按供电方式可分为有源、无源、半有源三种方式,对应主动、被动和半主动的获取能量方式;

按应用范围可分为针对企业和行业的闭环应用,以及跨行业的开环方式;

按读写类型可分为可读写卡,一次写入多次读出卡和只读卡。


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