在使用机器人和机床时，线路导致的信号传输延迟可以忽略，这是因为线缆长度一般相对较短。主要的延迟为带宽延迟；即将数据传输到线路所需的时间。对于最小的以太网帧（一般适用于机床和机器人控制），有关100 Mbps和1 Gbps位速率的带宽延迟。

这就等于数据包尺寸/数据速率。对于多轴系统，从控制器到伺服器的典型数据有效载荷由各伺服器的4字节速度/位置基准更新和1字节控制器更新组成，6轴机器人的有效载荷为30个字节。有些应用的更新中包含更多信息，并且/或有更多轴，数据包的尺寸要大于最小尺寸。最小长度以太网帧的带宽延迟,除了带宽延迟外，其他延迟元素是由于以太网帧通过每个伺服网络接口的PHY和双端口开关产生的。

制造商:Vishay产品种类:薄膜电容器RoHS:是系列:MKP378端接类型:Radial产品:AC and Pulse Film Capacitors电介质:Polypropylene (PP)电容:0.2 uF电压额定值 AC:300 VAC电压额定值 DC:630 VDC容差:5 %引线间隔:27.5 mm长度:31 mm直径:15 mm商标:Vishay / BC Components电容-nF:200 nF电容-pF:200000 pF引线直径:0.8 mm产品类型:Film Capacitors工厂包装数量:100子类别:Capacitors零件号别名:222237862204单位重量:7.400 g

MulTI Channel 指 DRAM Controller 只有多组控制和数据总线，每一组总线可以独立访问 DRAM Devices。 DRAM Controller 与 DRAM Devices 的连接方式如下所示：

连接 Single Channel DRAM Devices，这种组织方式的优势在于多个 Devices 可以同时工作，DRAM Controller 可以对不同 Channel 上的 Devices 同时发起读写请求，提高了读写请求的吞吐率。

NOTE：CS0 和 CS1 在同一时刻，可以同时处于使能状态，两个 Devices 可以同时被访问。

连接 MulTI Channel DRAM Devic——在一些 DRAM 产品中，例如 LPDDR3、LPDDR4 等，引入了 MulTI Channel 的设计，即一个 DRAM Devices 中包括多个 Channel。在单个 Device 上达成 Multi Channel 同时访问的效果，最终带来读写请求吞吐率的提升。

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