行地址是计算机的高阶地址位，列地址是低阶地址位。由于行地址和列地址在不同的时间发送，因此行地址和列地址复用到相同的DRAM 针脚上，以降低封装针脚数量、成本和尺寸。行地址尺寸要大于列地址，因为使用的功率与列数有关。

DRAM 刷新实现方案包括分布式刷新和突发刷新。

DRAM 演进及实现了DRAM IC 上的刷新计数器，处理顺序生成的行地址。在DRAM IC 内部，刷新计数器是复用器输入，控制着内存阵列行地址。另一个复用器输入来自外部地址输入针脚的行地址。这个内部刷新计数器不需要内存控制器中的外部刷新计数器电路。部分DRAM 在RAS周期前支持一个CAS，以使用内部生成的行地址发起刷新周期。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:整流器 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AC Vr - 反向电压 :600 V If - 正向电流:15 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:2.9 V 最大浪涌电流:150 A Ir - 反向电流 :60 uA 恢复时间:50 ns 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Tube 高度:9.3 mm (Max) 长度:10.4 mm (Max) 产品:Rectifiers 端接类型:Through Hole 宽度:4.6 mm (Max) 商标:STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 1000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:6 g

系统对内存容量、带宽、性能等方面的需求提高，系统会接入多个 DRAM Devices。而多个 DRAM Devices 不同的组织方式，会带来不同的效果。将对不同的组织方式及其效果。

Single Channel 指 DRAM Controller 只有一组控制和数据总线。 在这种场景下，DRAM Controller 与单个或者多个 DRAM Devices 的连接方式如下所示：

Single Channel 连接单个 DRAM Device 是最常见的一种组织方式。 由于成本、工艺等方面的因素，单个 DRAM Device 在总线宽度、容量上有所限制，在需要大带宽、大容量的产品中，通常接入多个 DRAM Devices。