由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅.

NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作。虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。

制造商

Samsung Electro-Mechanics

制造商零件编号

CIGT201208EH1R0MNE

描述

FIXED IND 1UH 3.1A 55MOHM SMD

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 pval-2087-无屏蔽-薄膜-电感器-pval-2088-55-毫欧最大-0805（2012-公制）-

类型 薄膜

材料 - 磁芯 金属合成物

电感 1μH

容差 ±20%

额定电流（安培） 3.1A

电流 - 饱和值 3.2A

屏蔽 无屏蔽

DC 电阻（DCR） 55 毫欧最大

不同频率时的 Q 值 -

频率 - 自谐振 -

等级 -

工作温度 -40°C ~ 125°C

电感频率 - 测试 1MHz

特性 -

安装类型 表面贴装

封装/外壳 0805（2012 公制）

供应商器件封装 0805（2012 公制）

大小/尺寸 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）

高度 - 安装（最大值） 0.031"（0.80mm）

输入端噪声对ADC"接地输入端"直方图的影响(ADC具有少量DNL)

虽然ADC固有的微分非线性(DNL)可能会导致其噪声分布与理想的高斯分布有细微的偏差，但它至少大致呈高斯分布。如果DNL比较大，则应计算多个不同直流输入电压的-值，然后求平均值。如果代码分布具有较大且独特的峰值和谷值，则表明ADC设计不佳，或者更有可能的是PCB布局布线错误、接地不良、电源去耦不当。当直流输入扫过ADC输入电压范围时，如果分布宽度急剧变化，这也表明存在问题。

设计不佳的ADC和/或布局布线、接地、去耦不当的接地输入端直方图。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）