R-Car V3U延用了上一代产品R-Car V3M和R-Car V3H中ADAS与Level 2感知堆栈等开发资源，与Renesas autonomy平台一起使用，为实现基于单芯片的Level 3级别自动驾驶构建了一条平稳的迁移路径，可缩短开发周期并实现安全投产。

先进SoC支持业界严苛的ASIL D级标准自动驾驶系统要求功能安全性达到ASIL D级别——即ISO 26262道路车辆标准规定的最高、最严苛汽车安全等级。R-Car V3U SoC集成多种精密的安全机制，可对硬件的随机故障进行快速检测与响应。

产品种类:LED照明驱动器RoHS:  输入电压:265 V安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8系列:封装:Reel特点:Brightness Control/Dimming产品:LED Drivers 商标:Monolithic Power Systems (MPS) 产品类型:LED Lighting Drivers

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息商标:Infineon Technologies产品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.5 V在25 C的连续集电极电流:210 A栅极—射极漏泄电流:320 nA最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:Half Bridge2栅极/发射极最大电压:20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工厂包装数量:10

这种设计与主动钳位方案的效率相当，能够消除对于二极管和其他器件的需求，从而最大程度地减少器件数量并降低电路复杂性。这种设计还能支持更快的关断时间，进而提高电磁阀和继电器等机电器件的可靠性。

这种设计只能使用基于陈旧平面技术的器件。Nexperia汽车重复雪崩ASFET产品系列专为解决此问题而开发，能够提供经过十亿个周期测试的可靠重复雪崩功能。与升压拓扑相比，这一产品系列可以减少多达15个板载器件，将器件管脚尺寸效率提高多达30%，从而简化设计。

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