将单独制造的组件集成到更高级别的组装中的方式，使得功能和操作特性都会得到提升。它使半导体器件制造商能够将来自不同制造工艺流程的功能部件组合成一个单一的复合器件。

了解65nm比90nm小多少，可以直接把90nm上的设计拿到65nm工艺上，重新设计一下马上就能做，整个过程一年半载即可完成。但现在7nm和16nm有很多不一样的地方，不能把16nm的设计直接放到7nm上，从架构到设计到后端都要做很多改变。

异构集成类似于封装内系统集成(SiP);主要指将多个单独制造的部件封装到一个芯片上，而不是在单个衬底上集成多个基片。

制造商:Intel 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品:Cyclone V E 逻辑元件数量:301000 逻辑数组块数量——LAB:11356 输入/输出端数量:480 I/O 工作电源电压:1.1 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-896 封装:Tray 系列:5CEFA9 商标:Intel / Altera 自适应逻辑模块 - ALM:113560 内嵌式块RAM - EBR:1717 kbit 嵌入式内存:12200 kbit 最大工作频率:800 MHz 湿度敏感性:Yes 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:27 子类别:Programmable Logic ICs 总内存:13917 kbit 商标名:Cyclone 零件号别名:968900 单位重量:33 g

不难想象4层绝不是HBM未来发展的极限，而随着层数的增加，位宽势必还会迎来进一步的递增。

再分配层是铜金属连接线或封装中电连接的一部分。再分配层是由金属或聚合物介质材料层创建，用于将模具堆叠在封装上，以及提供通过interposer连接的芯片之间的通信，从而减轻大型芯片组的I/O间距。它们已经成为2.5D和3D封装解决方案中不可或缺的环节。

TSV是2.5D和3D封装解决方案中的关键实现技术，它提供了通过模具硅片的垂直互连。它在里面填充了铜。TSV是一种通过整个芯片厚度的电子连接，它可以创建从芯片一侧到另一侧的最短路径。

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