氮化镓器件的性能优势可让设计人员实现80 Plus钛电源供电的效率，以及实现比目前各种解决方案更小型化、更快、更低温和更轻盈的系统，从而实现更低的系统成本。

芯片行业是典型的人才密集和资金密集型高风险产业，如果没有大量用户摊薄费用，芯片成本将直线上升。7nm的麒麟980研发费用远超业界预估的5亿美元，5G Modem研发费用在上亿美元，光流片就相当费钱，还有团队的持续投入，累计参与项目的工程师有上千人。

设计成本也不断上涨，每一代至少增加30~50%的设计成本.

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:4 A Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:15 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 商标名:STripFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 高度:1.65 mm 长度:5 mm 系列:STS4DNF60L 晶体管类型:2 N-Channel Power MOSFET 类型:Power MOSFET 宽度:4 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:25 S 下降时间:10 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:28 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:85 mg

扇出型晶圆级封装是一大改进，为晶圆模提供了更多的外部接触空间。将芯片嵌入环氧模塑料内，然后在晶片表面制造高密度重分布层(RDL)和焊料球，形成重组晶片。

将前端处理的晶圆片分割成单个晶圆片，然后将晶圆片在载体结构上分隔开，填充间隙以形成再生晶圆片。FOWLP在封装和应用板之间提供了大量的连接基板本质上比模具大，所以模具间距更宽松。

硅胶倒装芯片嵌入到玻璃衬底中，然后RDL在芯片上扇动，形成一个贯穿玻璃的通道.