器件是一种IGBT，采用先进的专用沟道栅场阻结构。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，低损耗和短路功能至关重要。正的VCE（sat）温度系数和严密的参数分布使并联运行更安全。

基于IPM的方案主要用于最高10 kW的工业和家用电器电机驱动应用，提供在低EMI、安全稳定和可靠性及开关速度方面很好的性能折中。IPM高度集成基板、功率开关、功率二极管、门极驱动、无源器件等，可替代45至100个分立器件，有很好的故障容错性，简化的热管理，PCB板易于设计，内置隔离大于等于2 kW，保护功能包括过压/欠压锁定，防击穿和过流跳闸。

主要特性

AEC-Q101合格

短路耐受时间6μs

VCE（饱和）=1.65 V（典型值）@IC=120 A

紧参数分布

更安全的并联

正VCE（sat）温度系数

低热阻

软快速恢复反并联二极管

最高结温：TJ=175°C

大多数芯片设计师需要基于现有制造工艺来开发新产品，但这些工艺本身也需要工程师来开发。工艺开发，相较于设计新的芯片，对于工程师以及他们的技能要求完全不同。前者的目标在于创造新的半导体制造工艺，不仅要满足器件性能要求而且要保证高良率。

多种测试晶圆来确定特定器件的最佳工艺需求。他们需要先制造一组晶圆并对其做分析，然后基于分析结果来改进下一轮的制造工艺步骤。随着特征尺寸的缩小，每次更新的工艺会对变量更加敏感。在测试时还必须考虑之前的开发中可能忽略的特征和寄生现象，这进一步提高了测试的复杂性和数据量。