新型磁性传感器应用了HHD磁头的高灵敏度播放TMR元件
发布时间:2023/3/3 8:58:40 访问次数:260
HDD磁头的播放元件应用了电阻因外部磁场而变的磁阻效应(Magnetoresistance effect)的原理，在1980年代以后，经历了AMR(各向异性磁阻效应：Anisotropic magnetoresistance effect)元件、GMR(巨磁阻效应：Giant magnetoresistance effect)元件、TMR(穿隧磁阻效应：Tunnel magnetoresistance effect)元件，技术逐渐进步，推进了HDD的记录密度飞跃性的提高。各种元件的结构。
AMR元件、GMR元件、TMR元件的结构,TMR元件的磁性结构与GMR元件基本相同，但GMR元件的电流平行于膜面流过，而TMR元件的电流垂直于膜面流过。
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4.99K欧电阻表示方法: 4991 4.99KR 4.99KΩ 4990欧姆 4990ohm
10K欧电阻表示方法: 1002 10KR 10KΩ 10000欧姆 10000ohm
33K欧电阻表示方法: 3302 33KR 33KΩ 33000欧姆 33000ohm
49.9K欧电阻表示方法: 4992 49.9KR 49.9KΩ 49900欧姆 49900ohm
59K欧电阻表示方法: 5902 59KR 59KΩ 59000欧姆 59000ohm
100K欧电阻表示方法: 1003 100KR 100KΩ 100000欧姆 100000ohm
200K欧电阻表示方法: 2003 200KR 200KΩ 200000欧姆 200000ohm
499K欧电阻表示方法: 4993 499KR 499KΩ 499000欧姆 499000ohm
510K欧电阻表示方法: 5103 510KR 510KΩ 510000欧姆 510000ohm
750K欧电阻表示方法: 7503 750KR 750KΩ 750000欧姆 750000ohm
10M欧电阻表示方法: 1005 10MR 10MΩ 10000000欧姆 10000000ohm
电流从外部基准电压源经由电阻分压器流向输出电压。
TDK的TMR传感器是一种新型的磁性传感器，应用了HHD磁头的高灵敏度播放元件——TMR元件。
IC的反馈电压(VFB)、所需的输出电压(VOUT)、外加正极直流偏置电压(VOFFSET)，以及电阻分压器的电阻R1和R2之间关系。
虽然电动汽车没有发动机，但电池产生的大电流会导致温度升高。电池也可以在非常低的温度下使用，这取决于车辆的使用地点。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
HDD磁头的播放元件应用了电阻因外部磁场而变的磁阻效应(Magnetoresistance effect)的原理，在1980年代以后，经历了AMR(各向异性磁阻效应：Anisotropic magnetoresistance effect)元件、GMR(巨磁阻效应：Giant magnetoresistance effect)元件、TMR(穿隧磁阻效应：Tunnel magnetoresistance effect)元件，技术逐渐进步，推进了HDD的记录密度飞跃性的提高。各种元件的结构。
AMR元件、GMR元件、TMR元件的结构,TMR元件的磁性结构与GMR元件基本相同，但GMR元件的电流平行于膜面流过，而TMR元件的电流垂直于膜面流过。
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电流从外部基准电压源经由电阻分压器流向输出电压。
TDK的TMR传感器是一种新型的磁性传感器，应用了HHD磁头的高灵敏度播放元件——TMR元件。
IC的反馈电压(VFB)、所需的输出电压(VOUT)、外加正极直流偏置电压(VOFFSET)，以及电阻分压器的电阻R1和R2之间关系。
虽然电动汽车没有发动机，但电池产生的大电流会导致温度升高。电池也可以在非常低的温度下使用，这取决于车辆的使用地点。
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