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5V输出的低压差正可调稳压器LM1084

发布时间:2020/12/10 20:23:55 访问次数:1652

输出稳定度对于任何电源设计而言都是一项关键问题。由于线性稳压器简单易用(多数线性稳压器只有三个插脚),所以很容易忘记这一点的重要性。虽然目前具有许多能够确保输出稳定的技术,但最简单且最经济有效的方案是添加或使用输出电容器的等效串联电阻(ESR)。

带5V输出的低压差正可调稳压器LM1084为例。LM1084能够为负载提供的电流为5A,它在可能存在大电流尖峰时能够发挥作用。它还是一种准稳压器,即传输晶体管是一种由PNP晶体管驱动的单NPN晶体管。因其内部架构所需,准稳压器的输出电容器中一般需要部分ESR来确保稳定度。

AT24C32AN-10SU-2.7

ATMEL(国产)

15+

SOP8

低电压与标准电压操作

–2.7(的VCC = 2.7V至5.5V)

–1.8(的VCC = 1.8V至5.5V)

存储器容量:32Kbit

存储器配置:4K x 8bit

2-Wire串行接口

时钟频率:1MHz

电源电压范围:1.8V to 3.6V

工作温度范围:-40°C to +85°C

存储类型:EEPROM

高可靠性:读写次数:1,000,000次–数据保存:100年

钽电容器和电解电容器的ESR足以确保稳定度,但由于设计的空间要求越来越受限,因此尺寸较小的陶瓷电容器成为了理想选择。由于陶瓷电容器几乎不存在任何ESR,因此添加外部串联电阻只是用来模拟其行为。

新开发的模块采用新涂覆材料和新工艺方法,成功地预防了绝缘击穿,并抑制了漏电流※1)的增加。在高温高湿反偏试验(HV-H3TRB)※2)中,实现了极高的可靠性,超过1,000小时也未发生绝缘击穿现象。从此,在高温高湿度环境下也可以安心地处理1700V的高耐压了。

模块中采用了ROHM产的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(SBD),通过优化模块内部结构,使导通电阻性能比与同等SiC产品优异10%,非常有助于应用进一步节能。

(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

输出稳定度对于任何电源设计而言都是一项关键问题。由于线性稳压器简单易用(多数线性稳压器只有三个插脚),所以很容易忘记这一点的重要性。虽然目前具有许多能够确保输出稳定的技术,但最简单且最经济有效的方案是添加或使用输出电容器的等效串联电阻(ESR)。

带5V输出的低压差正可调稳压器LM1084为例。LM1084能够为负载提供的电流为5A,它在可能存在大电流尖峰时能够发挥作用。它还是一种准稳压器,即传输晶体管是一种由PNP晶体管驱动的单NPN晶体管。因其内部架构所需,准稳压器的输出电容器中一般需要部分ESR来确保稳定度。

AT24C32AN-10SU-2.7

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SOP8

低电压与标准电压操作

–2.7(的VCC = 2.7V至5.5V)

–1.8(的VCC = 1.8V至5.5V)

存储器容量:32Kbit

存储器配置:4K x 8bit

2-Wire串行接口

时钟频率:1MHz

电源电压范围:1.8V to 3.6V

工作温度范围:-40°C to +85°C

存储类型:EEPROM

高可靠性:读写次数:1,000,000次–数据保存:100年

钽电容器和电解电容器的ESR足以确保稳定度,但由于设计的空间要求越来越受限,因此尺寸较小的陶瓷电容器成为了理想选择。由于陶瓷电容器几乎不存在任何ESR,因此添加外部串联电阻只是用来模拟其行为。

新开发的模块采用新涂覆材料和新工艺方法,成功地预防了绝缘击穿,并抑制了漏电流※1)的增加。在高温高湿反偏试验(HV-H3TRB)※2)中,实现了极高的可靠性,超过1,000小时也未发生绝缘击穿现象。从此,在高温高湿度环境下也可以安心地处理1700V的高耐压了。

模块中采用了ROHM产的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(SBD),通过优化模块内部结构,使导通电阻性能比与同等SiC产品优异10%,非常有助于应用进一步节能。

(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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