运行和闪存块交换大电流LED双通道驱动芯片
发布时间:2020/12/9 13:16:39 访问次数:1039
在闪存中运行CoreMark算法时，RA4M3 MCU的功耗低至119μA/MHz，在待机模式下功耗低至1.6mA，待机唤醒时间为30μs，这对于长时间在户外运行的IoT应用至关重要。对于内存密集型应用，设计人员可将Quad-SPI和SD卡接口与MCU的片内存储器相结合以增加存储容量。
运行和闪存块交换（Flash Bank SWAP）功能非常适合在后台运行内存优化的固件更新程序。具有奇偶校验/ECC功能的大容量片内RAM也使RA4M3 MCU成为注重安全的应用的理想选择。RA4M3 MCU还具备多种集成功能以降低BOM成本，包括电容式触摸感应、高达1MB的片内闪存，以及模拟、通信和连接存储器的外围设备。
NU512（ 大电流LED双通道驱动芯片）
50mA的~0.5A，两个通道恒流
输出电流可调的外部元件
~l 12V宽范围电源电压3V
1MHz的OE调光的支持l
400Hz VDD调光的支持l
0V ~l 17V输出维持电压
低输出电压l
0.2V中辍80mA的输出
中辍0.5A的输出
随着上述技术能力的不断发展，我们对数据的理解也在不断提高。感测融合在上述（大部分）功能中发挥着重要作用。在年初的博文中，我们介绍了IMU和动作传感器如何提供额外的安全性，以及通过将用户偏好与地理位置数据结合在一起实现更好的用户体验（UX）。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在闪存中运行CoreMark算法时，RA4M3 MCU的功耗低至119μA/MHz，在待机模式下功耗低至1.6mA，待机唤醒时间为30μs，这对于长时间在户外运行的IoT应用至关重要。对于内存密集型应用，设计人员可将Quad-SPI和SD卡接口与MCU的片内存储器相结合以增加存储容量。
运行和闪存块交换（Flash Bank SWAP）功能非常适合在后台运行内存优化的固件更新程序。具有奇偶校验/ECC功能的大容量片内RAM也使RA4M3 MCU成为注重安全的应用的理想选择。RA4M3 MCU还具备多种集成功能以降低BOM成本，包括电容式触摸感应、高达1MB的片内闪存，以及模拟、通信和连接存储器的外围设备。
NU512（ 大电流LED双通道驱动芯片）
50mA的~0.5A，两个通道恒流
输出电流可调的外部元件
~l 12V宽范围电源电压3V
1MHz的OE调光的支持l
400Hz VDD调光的支持l
0V ~l 17V输出维持电压
低输出电压l
0.2V中辍80mA的输出
中辍0.5A的输出
随着上述技术能力的不断发展，我们对数据的理解也在不断提高。感测融合在上述（大部分）功能中发挥着重要作用。在年初的博文中，我们介绍了IMU和动作传感器如何提供额外的安全性，以及通过将用户偏好与地理位置数据结合在一起实现更好的用户体验（UX）。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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