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​STDES-PFCBIDIR电动汽车三相双向功率变换器

发布时间:2020/12/7 8:34:59 访问次数:877

以MCU FS32KX为核心,以外部12V或超级电容为电源。以从加速度传感器获取的数据作为碰撞判定的依据,读取总线上所需记录设备的实时信息,并且及时储存到外挂的两块存储芯片。可通过CAN接口将EDR的数据读取出来。该方案拥有成熟的软件和硬件基础,能帮助车厂快速进行汽车EDR方面的开发。

板子的开放式固件(X-CUBE-MCSDK)可以将源代码直接插入应用程序中,赢得了参观者的一致好评。整个解决方案基于STSPIN32F0601,还集成一个STM32F031低功耗微控制器,为应用带来更高的能效和成本效益。逆变器级使用与STGD5H60DF类似的IGBT沟栅场截止IGBT。 

一般信息

数据列表

TPS53318,19;

标准包装

2,500

包装

标准卷带

零件状态

有源

类别

集成电路(IC)

产品族

PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器

系列

D-CAP™,Eco-Mode™

其它名称

296-39408-2

TPS53318DQPR-ND规格

功能

降压

输出配置

拓扑

降压

输出类型

可调式

输出数

1

电压 - 输入(最小值)

1.5V

电压 - 输入(最大值)

22V

电压 - 输出(最小值/固定)

0.6V

电压 - 输出(最大值)

5.5V

电流 - 输出

8A

频率 - 开关

250kHz ~ 1MHz

同步整流器

工作温度

-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

22-PowerLFDFN

供应商器件封装

22-LSON-CLIP(6x5)

STDES-PFCBIDIR电动汽车三相双向功率变换器可以破解这个进退两难的困境。得益于SCTW35N65G2V碳化硅MOSFET,这款芯片可以用于开发能效更高的电源变换器。凭借其宽带隙材料,SiC MOSFET具有更高的开关频率,可以显著改进高压电源的能效。

GaN充电器与小功率充电器差不多一般大,可以为当今的大多数手机和平板电脑快速充电。在产品附件清单中增加大功率充电器,而不会导致快递费上涨或换用更大的包装盒,从而可以降低运营成本和环境影响。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



以MCU FS32KX为核心,以外部12V或超级电容为电源。以从加速度传感器获取的数据作为碰撞判定的依据,读取总线上所需记录设备的实时信息,并且及时储存到外挂的两块存储芯片。可通过CAN接口将EDR的数据读取出来。该方案拥有成熟的软件和硬件基础,能帮助车厂快速进行汽车EDR方面的开发。

板子的开放式固件(X-CUBE-MCSDK)可以将源代码直接插入应用程序中,赢得了参观者的一致好评。整个解决方案基于STSPIN32F0601,还集成一个STM32F031低功耗微控制器,为应用带来更高的能效和成本效益。逆变器级使用与STGD5H60DF类似的IGBT沟栅场截止IGBT。 

一般信息

数据列表

TPS53318,19;

标准包装

2,500

包装

标准卷带

零件状态

有源

类别

集成电路(IC)

产品族

PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器

系列

D-CAP™,Eco-Mode™

其它名称

296-39408-2

TPS53318DQPR-ND规格

功能

降压

输出配置

拓扑

降压

输出类型

可调式

输出数

1

电压 - 输入(最小值)

1.5V

电压 - 输入(最大值)

22V

电压 - 输出(最小值/固定)

0.6V

电压 - 输出(最大值)

5.5V

电流 - 输出

8A

频率 - 开关

250kHz ~ 1MHz

同步整流器

工作温度

-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

22-PowerLFDFN

供应商器件封装

22-LSON-CLIP(6x5)

STDES-PFCBIDIR电动汽车三相双向功率变换器可以破解这个进退两难的困境。得益于SCTW35N65G2V碳化硅MOSFET,这款芯片可以用于开发能效更高的电源变换器。凭借其宽带隙材料,SiC MOSFET具有更高的开关频率,可以显著改进高压电源的能效。

GaN充电器与小功率充电器差不多一般大,可以为当今的大多数手机和平板电脑快速充电。在产品附件清单中增加大功率充电器,而不会导致快递费上涨或换用更大的包装盒,从而可以降低运营成本和环境影响。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



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