新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源）。

它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。

产品属性

制造商: ROHM Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

商标: ROHM Semiconductor

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

子类别: Transistors

零件号别名: EMH11T2R

制造商: Texas Instruments产品种类: 监控电路

RoHS: 详细信息

类型: Voltage Supervisory

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-8

阈值电压: 1.1 V

被监测输入数: 1 Input

输出类型: Active-high,Active-low,Push-pull

人工复位: No Manual Reset

看门狗计时器: No Watchdog

电池备用开关: Backup

重置延迟时间: Adjustable

电源电压-最大: 6 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: TLC7701

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

特点: Active Low Enable, Manual Reset

高度: 1.15 mm

长度: 3 mm

工作温度范围: - 40 C to + 125 C

输出电流: 10 mA

宽度: 4.4 mm

商标: Texas Instruments

过电压阈值: 1.16 V

欠电压阈值: Adjustable

工作电源电流: 9 uA

Pd-功率耗散: 525 mW

产品类型: Supervisory Circuits

工厂包装数量: 2000

子类别: PMIC - Power Management ICs

电源电压-最小: 2 V

单位重量: 39 mg

动态功耗调节,2 MSPS 时待确定功耗为mW,积分非线性为±0.5 LSB,1 kHz 时SINAD为100 dB(增益 = 0.9),1 kHz时的总谐波失真为−120 dB,100kHz 时为 -100 dB.ADAQ4003具有信号缩放功能的集成式全差分ADC驱动器,增益/衰减为G = 0.45、0.9,1 和 1.9,增益误差为0.005%(典型值),增益漂移为1ppm/C(典型值),兼容串行接口 SPI-/QSPI™-/MICROWIRE™-/DSP,具有宽输入共模范围,高共模抑制和单端到差分转换.

小型 49 球 7x7mm 0.8mm 间距 BGA 封装,宽工作温度范围为−40C 至 +125C.主要用在自动测试(ATE),机器自动化,过程控制,医疗仪器和数字控制回路.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）