高通旗舰层级5G移动平台骁龙888，其性能提升幅度大，堪称强悍的性能怪兽。作为骁龙865的迭代产品，骁龙888犹如平地一声惊雷，振奋了整个科技圈，也振奋了整个手机行业。

高通骁龙888移动平台，作为目前最顶级的旗舰芯片，凭借其独步天下的强悍性能优势，成为各大手机厂商打好翻身仗的最佳选择。

高通骁龙888相比上一代高通骁龙865，无论是从工艺、架构、能效，还是连接性等各方面都有超出预期的提升。骁龙888的制程工艺采用了最先进的5纳米工艺制程，进一步缩小了晶体管整体体积，减少产品功耗率并提供突破性的性能。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 运算放大器 - 运放

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-8

通道数量: 2 Channel

电源电压-最大: 16 V

GBP-增益带宽产品: 200 kHz

每个通道的输出电流: 50 mA

SR - 转换速率 : 0.12 V/us

Vos - 输入偏置电压 : 1.5 mV

电源电压-最小: 4.4 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

Ib - 输入偏流: 60 pA

工作电源电流: 35 uA

关闭: No Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 83 dB

en - 输入电压噪声密度: 36 nV/sqrt Hz

系列: TLC2252

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

放大器类型: Micropower Amplifier

特点: High Cload Drive

高度: 1.15 mm

输入类型: Rail-to-Rail

长度: 3 mm

输出类型: Rail-to-Rail

产品: Operational Amplifiers

电源类型: Single, Dual

技术: LinCMOS

宽度: 4.4 mm

商标: Texas Instruments

双重电源电压: +/- 3 V, +/- 5 V

In—输入噪声电流密度: 0.0006 pA/sqrt Hz

最大双重电源电压: +/- 8 V

最小双重电源电压: +/- 2.2 V

工作电源电压: 4.4 V to 16 V, +/- 2.2 V to +/- 8 V

Pd-功率耗散: 525 mW

产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers

工厂包装数量: 2000

子类别: Amplifier ICs

商标名: LinCMOS

Vcm - 共模电压: Negative Rail to Positive Rail - 1 V

电压增益 dB: 124.61 dB

单位重量: 39 mg

电源模块已经支持输入电压为36V时，输出3.3或5V的固定输出电压，接下来，伍尔特电子将会推出最大输入电压分别为28V和42V的版本。采用的SIP-3封装，是具有成本效益的解决方案，可以满足24V工业电压网络瞬态性能的要求。新模块的工作电压为6至36V VIN，并可在高达1A的电流下产生3.3或5V的固定输出电压。

模块的辐射干扰和线路干扰均符合EN55032/CISPR32 B类EMC标准。这些数值是在17800FDSM EVAL板上，与经过验证的滤波器组合后测量得到的。该模块与电源模块一样。

高通骁龙8系首发“钉子户”的小米已确定拿到了骁龙888的首发权，不久小米11将成为首款上市的骁龙888手机。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）