这四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。

从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些器件可帮助各行各业的工程师们解决他们在满足最高电压和功率要求时所面临的各种挑战。

LM4040精密微功率并联电压基准是通过超小型SC70和SOT-23表面安装组件进行空间关键应用的理想选择。易于使用的LM4040的先进设计消除了外部稳定电容器的需要，同时确保稳定与任何电容负载。TI LM4040有几种固定的反向击穿电压:2.048V、2.500V、3.000V、4.096V、5.000V、8.192V和10.000V。

最小动作电流从60μa lm4040 - 2.5增加到100μa lm4040 - 10.0,与所有版本15马的最大操作电流。TI LM4040精密微功率并联电压基准采用熔断器和zenergy -zap反向击穿电压微调，在25℃下保证主要部件的精度优于±0.1% (A级)。带隙基准温度漂移曲率校正和低动态阻抗确保在大范围的工作温度和电流下稳定的反向击穿电压精度。

一款完全集成、并带有压控振荡器（VCO）的分数型（Fractional-N）射频合成器CMX940，能够以低功耗单芯片解决方案实现低相位噪声和出众的杂散噪声性能。CMX940已经超越了行业设定的性能要求标准，可实现新一代专用移动无线电（PMR）、数据调制解调器、航海无线电和其他无线系统。

为了能够以低功耗解决方案实现高性能和高灵活性，CML采用了具有高可配置参考路径的双环路架构，包括一个单独的锁相环（PLL）和VCO，用于最大程度地降低接近相位噪声（close-in phase noise），并降低整数和分数边界杂散噪声。