CISSOID还与中国本土的一些SiC制造厂紧密合作，随着这些产品质量的提高，对它们的产品进行测试和认证，以便随着时间的推移提供越来越多的基于国内SiC芯片的产品系列。

新能源汽车的普及离不开充电桩的支持，充电桩的数量对新能源汽车的长期成功和大规模采用至关重要，如果没有大规模的覆盖和足够的供给，新能源汽车将无法突破并成功取代内燃机（ICE）。

充电速度也将是充电桩目前待解决的问题之一。1、2和3级充电的通用插头和充电标准，可有效改善各类型新能源汽车间充电桩插头的通用问题。

制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: 精密放大器

RoHS:  详细信息  

系列: ADA4522-2

通道数量: 2 Channel

GBP-增益带宽产品: 2.7 MHz

SR - 转换速率 : 1.8 V/us

CMRR - 共模抑制比: 130 dB

每个通道的输出电流: 14 mA

Ib - 输入偏流: 50 pA

Vos - 输入偏置电压 : 700 nV

en - 输入电压噪声密度: 5.8 nV/sqrt Hz

电源电压-最大: 55 V

电源电压-最小: 4.5 V

工作电源电流: 830 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

关闭: Shutdown

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

放大器类型: Zero Drift Amplifier  

输入类型: Ground Sense  

输出类型: Rail to Rail  

产品: Precision Amplifiers  

商标: Analog Devices  

THD + 噪声: 0.001 %  

3dB带宽: 6.5 MHz  

In—输入噪声电流密度: 800 fA/sqrt Hz  

Ios - 输入偏置电流 : 500 pA  

产品类型: Precision Amplifiers  

PSRR - 电源抑制比: 160 dB  

稳定时间: 12 us  

工厂包装数量: 1000  

子类别: Amplifier ICs  

电压增益 dB: 137 dB

延续了InnoSwitch3的特点，采用Power Integrations的高速FluxLink™耦合技术，可在无需专用隔离变压器检测绕组和光耦的情况下，实现±3%的高精度输入电压和负载综合调整率。FluxLink技术即使在瞬态应力测试下也能保持输出电压稳压，这对于基于PSR的方案而言尤其具有挑战性。InnoSwitch3-AQ同样具有非常高的可靠性，故障率小于<0.02 PPM，换句话说每百万颗芯片有0.02颗芯片损坏。通过AEC-Q100认证，生产过程通过IATF16949认证。

InnoSwitch3-AQ支持30-400V超宽输入范围。而对于800V电压轨的应用是如何支持，对于800 V电压轨的应用可选StackFET™电路， StackFET在漏级和变压器之间串联另外一个750 V MOSFET，如此一来不但增加了耐压，同时分担了散热，PI是最先推出StackFET电路的厂家，在典型应用中提供80％的降额。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）