以GaN、SiC为代表的第三代半导体因具备优异的材料物理特性，为进一步提升电力电子器件的性能提供了更大的空间。SiC作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。

根据IHS预测，2020年650 V CoolSiC™ MOSFET 领域将会有近5000万美元的市场份额，至2028年，市场份额将会达到一亿6000万美元，复合成长率达16%，如此广阔的增长空间，给专注于SiC市场的半导体厂商带来更多的机遇。加之SiC的应用领域非常广泛，包括电源供应器、不间断电源、电动汽车充电、马达驱动以及光伏和储能等。如此广阔的市场空间以及广泛的应用场景吸引了很多半导体厂商，其中包括英飞凌。

制造商:Infineon产品种类:射频发射器RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:TDx7116 商标:Infineon Technologies 产品类型:RF Transmitter 工厂包装数量:5000 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块产品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V在25 C的连续集电极电流:28 A最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:EASY1B商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:Screw工厂包装数量:24

SiC的工艺分为平面式和沟槽式，与英飞凌过去发布的所有CoolSiC MOSFET产品相比，新产品采用基于英飞凌先进的沟槽半导体技术，英飞凌沟槽式的经验来自于CoolMOS几十年的工作经验累积，在用沟槽式设计可以达到性能的要求，不会偏离它的可靠度。以SiCMOS为例，在同样的可靠度上面，SiC沟槽式的设计远比平面式的SiCMOS拥有更高的性能。

除了性能上的优势，英飞凌拥有非常有实力的SiC技术，在整个产品制造、研发，投入了很多的精力。英飞凌拥有自己的生产线，可以自己调整产能需求。英飞凌一直在电源管理领域有很好的工程师可以跟客户展开探讨共同优化设计。Si、SiC、GaN技术，英飞凌都在掌握之中，根据在不同的应用场域，客户可以有不同的选择。无论是Si，SiC还是GaN，英飞凌都会有很好的产品供客户选择。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）