AMR磁传感器可调谐二极管激光吸收光谱技术
发布时间:2020/11/28 17:55:46 访问次数:785
0.25mm超薄指纹封装工艺,实现了射频产品4G PA的量产;MEMS产品实现了多元化发展,开发了心率传感器、高度计及AMR磁传感器并成功实现量产;其TSV+SiP指纹识别封装产品成功应用于华为系列手机。通富微电率先实现了7nmFC产品量产;高脚数FC-BGA封装技术领先企业,为CPU国产化提供了有力保障。
光纤连接1650 nm半导体激光器和砷化镓铟(InGaAs)近红外探测器来探测甲烷浓度,并使用可调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS)。这种方式为未来用于气体泄漏检测和废气偷排监测等应用提供低成本、高灵敏度的甲烷探测器解决方案。IBM研究人员表明,光谱范围可以从中红外扩展到8um波长区域,也就是能探测到分子振动的“指纹区”,因此潜在应用范围变得更加广泛了。
地面平整,通风良好
设备周围无强烈振动
设备周围无强电磁场影响
设备周围无易燃、易爆、腐蚀性物质和粉尘
设备周围留有适当的使用及维护空间,
电源要求:AC380V±10% 50±0.5Hz 三相五线制
要求用户在安装现场为设备配置相应容量的空气或动力开关,并且此开关必须是独立供本设备使用
环境温度:5℃~+30℃(24小时内平均温度≤30℃)
环境湿度:≤85%RH
供水条件(仅限湿热型及需要用水设备)
采用纯净水、蒸馏水、去离子水。电阻率≥500Ω.m

相比于传统设计方案,BridgeSwitch电机驱动器IC产品系列内部集成了两个性能加强的FREDFET(具有快恢复外延型二极管的场效应晶体管)分别用于半桥电路的上管和下管,每个BridgeSwitch器件的上管和下管限流点都可以单独进行设定,这样无需微处理器及相关外围电路在电机绕组开路或短路情况下提供整个系统的保护。
集成的无损耗电流监测特性可提供基于硬件的电机故障保护,有助于简化电机故障保护机制,从而满足IEC60335-1和IEC60730-1要求。
BridgeSwitch IC中所使用的600V FREDFET集成了快速超软恢复体二极管,这有助于大幅降低开关损耗和减少噪声的产生,从而简化系统级EMC设计。
0.25mm超薄指纹封装工艺,实现了射频产品4G PA的量产;MEMS产品实现了多元化发展,开发了心率传感器、高度计及AMR磁传感器并成功实现量产;其TSV+SiP指纹识别封装产品成功应用于华为系列手机。通富微电率先实现了7nmFC产品量产;高脚数FC-BGA封装技术领先企业,为CPU国产化提供了有力保障。
光纤连接1650 nm半导体激光器和砷化镓铟(InGaAs)近红外探测器来探测甲烷浓度,并使用可调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS)。这种方式为未来用于气体泄漏检测和废气偷排监测等应用提供低成本、高灵敏度的甲烷探测器解决方案。IBM研究人员表明,光谱范围可以从中红外扩展到8um波长区域,也就是能探测到分子振动的“指纹区”,因此潜在应用范围变得更加广泛了。
地面平整,通风良好
设备周围无强烈振动
设备周围无强电磁场影响
设备周围无易燃、易爆、腐蚀性物质和粉尘
设备周围留有适当的使用及维护空间,
电源要求:AC380V±10% 50±0.5Hz 三相五线制
要求用户在安装现场为设备配置相应容量的空气或动力开关,并且此开关必须是独立供本设备使用
环境温度:5℃~+30℃(24小时内平均温度≤30℃)
环境湿度:≤85%RH
供水条件(仅限湿热型及需要用水设备)
采用纯净水、蒸馏水、去离子水。电阻率≥500Ω.m

相比于传统设计方案,BridgeSwitch电机驱动器IC产品系列内部集成了两个性能加强的FREDFET(具有快恢复外延型二极管的场效应晶体管)分别用于半桥电路的上管和下管,每个BridgeSwitch器件的上管和下管限流点都可以单独进行设定,这样无需微处理器及相关外围电路在电机绕组开路或短路情况下提供整个系统的保护。
集成的无损耗电流监测特性可提供基于硬件的电机故障保护,有助于简化电机故障保护机制,从而满足IEC60335-1和IEC60730-1要求。
BridgeSwitch IC中所使用的600V FREDFET集成了快速超软恢复体二极管,这有助于大幅降低开关损耗和减少噪声的产生,从而简化系统级EMC设计。