0至+12V栅极电压驱动DC-DC转换和车载充电
发布时间:2020/11/25 22:28:03 访问次数:1022
Wi-Fi是一种允许电子设备连接到一个无线局域网的技术，通常使用2.4G UHF或5G SHF ISM 射频频段，连接到无线局域网通常是有密码保护的;但也可是开放的，这样就允许任何在WLAN范围内的设备可以连接上。
由于无线网络的频段在世界范围内是无需任何电信运营执照的，因此WLAN无线设备提供了一个世界范围内可以使用的，费用极其低廉且数据带宽极高的无线空中接口。用户可以在Wi-Fi覆盖区域内快速浏览网页，随时随地接听拨打电话，有了Wi-Fi功能我们打长途电话、浏览网页、收发电子邮件、音乐下载、数码照片传递等，再无需担心速度慢和花费高的问题。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220FP-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:6 A Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商标名:SuperMESH 封装:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 长度:10.4 mm 系列:STP6NK60Z 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:19 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:14 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:47 ns 典型接通延迟时间:14 ns 单位重量:330 mg
SiC MOSFET对驱动电压的要求也有别于以前的硅器件，这让工程师在从原来的硅器件转向碳化硅FET时，不得不去重新设计，以便采用新的驱动电路。
UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+12V栅极电压驱动，SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器。
从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些领域都是UnitedSiC的应用领域。在效率和性能要求更高、同时成本不敏感的应用上，例如：车载、快充领域，SiC MOSFET正在逐渐取代硅器件。
电动汽车的OBC、DC/DC，驱动，快速充电桩，电信电源，服务器电源，太阳能，储能以及高压断路器。
(素材来源：21ic和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Wi-Fi是一种允许电子设备连接到一个无线局域网的技术，通常使用2.4G UHF或5G SHF ISM 射频频段，连接到无线局域网通常是有密码保护的;但也可是开放的，这样就允许任何在WLAN范围内的设备可以连接上。
由于无线网络的频段在世界范围内是无需任何电信运营执照的，因此WLAN无线设备提供了一个世界范围内可以使用的，费用极其低廉且数据带宽极高的无线空中接口。用户可以在Wi-Fi覆盖区域内快速浏览网页，随时随地接听拨打电话，有了Wi-Fi功能我们打长途电话、浏览网页、收发电子邮件、音乐下载、数码照片传递等，再无需担心速度慢和花费高的问题。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220FP-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:6 A Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商标名:SuperMESH 封装:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 长度:10.4 mm 系列:STP6NK60Z 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:19 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:14 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:47 ns 典型接通延迟时间:14 ns 单位重量:330 mg
SiC MOSFET对驱动电压的要求也有别于以前的硅器件，这让工程师在从原来的硅器件转向碳化硅FET时，不得不去重新设计，以便采用新的驱动电路。
UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+12V栅极电压驱动，SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器。
从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些领域都是UnitedSiC的应用领域。在效率和性能要求更高、同时成本不敏感的应用上，例如：车载、快充领域，SiC MOSFET正在逐渐取代硅器件。
电动汽车的OBC、DC/DC，驱动，快速充电桩，电信电源，服务器电源，太阳能，储能以及高压断路器。
(素材来源：21ic和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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