Wi-Fi具有更大的覆盖范围和更高的传输速率，因此Wi-Fi手机成为了2010年移动通信业界的时尚潮流。

NFC是一种新兴的技术，使用了NFC技术的设备可以在彼此靠近的情况下进行数据交换，是由非接触式射频识别(RFID)及互连互通技术整合演变而来，通过在单一芯片上集成感应式读卡器、感应式卡片和点对点通信的功能，利用移动终端实现移动支付、门禁、身份识别等应用。

UWB是一种无载波通信技术，利用纳秒至微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据。UWB在早期被用来应用在近距离高速数据传输，近年来国外开始利用其亚纳秒级超窄脉冲来做近距离精确室内定位。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:16 A Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:44 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商标名:MDmesh 封装:Tube 配置:Single 系列:STF22NM60N 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:38 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:18 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:74 ns 典型接通延迟时间:11 ns 单位重量:330 mg

这四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，具有出色的FoM，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了极低的RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ)，因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能(无论是在25℃低温还是125℃高温下工作)，而且还提供了极低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。

SiC MOSFET 电压一般为650V，或650V以下，对于电动汽车等领域要求的400/500V总线电压应用，750V的碳化硅MOSFET能为设计人员提供更多的裕量并减少其设计约束。