SJMOSFET在市场上占据主导地位，仍是上述领域的首选技术。硅技术已非常成熟和可靠，而且还将进一步发展。类器件上积攒了多年经验。不同的技术对应不同的细分市场，具体取决于系统的复杂程度。

氮化镓正与用于开关电源的SJMOSFET、不间断电源的高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)、电信领域的中压MOSFET以及用于服务器负载点稳压器和同步整流的低压MOSFET竞争。由于这些市场对价格极其敏感，氮化镓预计将首先在高端领域推出。

氮化镓HEMT结构通常具有多层场板，以最大限度减少栅极与漏极接触处的电压峰值应力和动态RDS(on)。二氧化硅和氮化硅等薄膜用作电介质层，这些薄膜必须足够优质，以求最大限度减少薄膜污染，减少高温下的热降解，改善薄膜化学计量比。必须控制薄膜应力以避免晶圆弯曲，这可以通过调整射频功率和其他工艺参数来实现。

氮化硅的表面钝化已被证明可以产生更高的载流子浓度，以便改善二维电子气的电导率，提高器件性能。三氧化二铝等替代材料通过原子层沉积来提高器件性能。

制造商: ISSI

产品种类: eMMC

RoHS: 详细信息

系列: IS21ES16G

存储容量: 16 GB

配置: MLC

连续读取: 255 MB/s

连续写入: 24.6 MB/s

工作电源电压: 3.3 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

尺寸: 14 mm x 18 mm x 1.4 mm

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

封装 / 箱体: FBGA-100

产品: eMMC Flash Drive

商标: ISSI

接口类型: eMMC 5.0

安装风格: SMD/SMT

湿度敏感性: Yes

产品类型: eMMC

工厂包装数量: 1000

子类别: Memory & Data Storage

华邦电、旺宏、美光等IDM厂近一年来没有新增产能，只是通过制程微缩来增加产量。而从代工端来看，主要由中芯国际、华虹宏力、武汉新芯等提供产能。但近期可提供NOR Flash代工的50nm/60nm产能已供不应求，2020年第四季度之前无法增加投片，使得全年NOR Flash供给都处于吃紧状态。

由于中国大陆晶圆代工厂有可能遭受更严苛的贸易限制，使得中国台湾地区厂商有机会迎来NOR Flash转单潮，包括台积电、联电、世界先进。这种局面一旦真的出现，NOR Flash产能可能更加吃紧，这在客观上会进一步提升华邦电和旺宏的市场地位。

全球8英寸晶圆代工月产能本就非常紧张，已长期处于供不应求的状态，在这种情况下，若NOR Flash大范围转单真的出现，无疑会使全球本已十分紧张的8英寸晶圆代工产能雪上加霜，估计到时候价格又要上涨了。

加速提升OLED手机显示面板的渗透率。预计2021年会有一半以上的智能手机采用OLED显示面板。整体而言，OLED面板需求会持续爆发，必将带动NOR Flash需求加速增长。