位置:51电子网 » 技术资料 » 汽车电子

驱动回路的电感兼容差模共模PIR信号

发布时间:2020/11/21 21:15:24 访问次数:677

以Windows NT服务组件(service)的形式存在于系统中的,它们在系统启动后就一直运行在后台,等待事件的触发(如某个TCP端口是否有链接请求)。作为服务组件,其与一般Windows程序的不同之处是:它必然包含名为NtServiceEntry的入口函数,当Windows开始运行一个服务组件时,首先运行这个入口函数,而非通常的main函数。

在入口函数中,必须定义一个dispatchTable的结构,包括服务名称sServiceName以及服务的实际主函数ServiceMain,并通过StartServiceCtrlDispatcher函数真正完成服务的注册和运行。一旦一个服务组件启动后,除了不断监听某端口外,还需要响应服务管理器(service mananger)的不同请求(如暂停服务)。因此将服务的实际功能设计成一个子进程bridgeThread,由服务的主进程调用该子进程,而服务的主进程则专门用来响应服务管理器的请求。

主要特点

兼容差模、共模PIR信号输入方式

宽电压工作范围1.4V~3.6V

极低的工作电流,3.5μA典型值

兼容差模、共模PIR信号输入方式

内置片上温度传感器可实现温度补偿

单线通信接口模式(DOCI)

应用领域

数字PIR传感器,高端应用场景

人体入侵检测

工业领域安防、报警

智能楼宇、智能照明、智能家居


SiC功率器件和模块的应用离不开驱动电路及其相应的芯片。大多数驱动电路芯片都是普通的硅器件,均不能耐高温,其若能在高温如175℃下工作1000小时,已经是凤毛麟角了。耐高温只是问题的一方面,更严重的是高温时器件性能的一致性问题。普通硅器件在70℃之上性能弱化得非常之快,因此在高温下无法应用。历经二十多年创新研发和应用考验,Cissoid公司SOI特种硅器件已实现杰出的耐高温能力,其在175℃时可连续工作15年之长,且全温度范围内性能有极佳的一致性,是支持SiC高温应用的支柱。

SOI的特种硅半导体技术,全面突破了硅半导体器件的温度困境,明显地规避了硅器件的温度载流子效应(本征载流子浓度随温度升高而升高)和结温效应(有效结势垒随温度升高而缩减)的影响,不仅能耐高温并长期工作,而且可在全温度范围保持良好的性能一致性。


高温半导体器件长期以来为航空航天和石油勘探领域所青睐,Cissoid 开发了针对SiC MOSFET的耐高温驱动芯片和方案。这一独特的耐高温性能使其得以尽可能地靠近SiC功率模块,以使驱动回路的寄生电感达到最小,从而更有效地抑制振铃并实现最佳的效率。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


以Windows NT服务组件(service)的形式存在于系统中的,它们在系统启动后就一直运行在后台,等待事件的触发(如某个TCP端口是否有链接请求)。作为服务组件,其与一般Windows程序的不同之处是:它必然包含名为NtServiceEntry的入口函数,当Windows开始运行一个服务组件时,首先运行这个入口函数,而非通常的main函数。

在入口函数中,必须定义一个dispatchTable的结构,包括服务名称sServiceName以及服务的实际主函数ServiceMain,并通过StartServiceCtrlDispatcher函数真正完成服务的注册和运行。一旦一个服务组件启动后,除了不断监听某端口外,还需要响应服务管理器(service mananger)的不同请求(如暂停服务)。因此将服务的实际功能设计成一个子进程bridgeThread,由服务的主进程调用该子进程,而服务的主进程则专门用来响应服务管理器的请求。

主要特点

兼容差模、共模PIR信号输入方式

宽电压工作范围1.4V~3.6V

极低的工作电流,3.5μA典型值

兼容差模、共模PIR信号输入方式

内置片上温度传感器可实现温度补偿

单线通信接口模式(DOCI)

应用领域

数字PIR传感器,高端应用场景

人体入侵检测

工业领域安防、报警

智能楼宇、智能照明、智能家居


SiC功率器件和模块的应用离不开驱动电路及其相应的芯片。大多数驱动电路芯片都是普通的硅器件,均不能耐高温,其若能在高温如175℃下工作1000小时,已经是凤毛麟角了。耐高温只是问题的一方面,更严重的是高温时器件性能的一致性问题。普通硅器件在70℃之上性能弱化得非常之快,因此在高温下无法应用。历经二十多年创新研发和应用考验,Cissoid公司SOI特种硅器件已实现杰出的耐高温能力,其在175℃时可连续工作15年之长,且全温度范围内性能有极佳的一致性,是支持SiC高温应用的支柱。

SOI的特种硅半导体技术,全面突破了硅半导体器件的温度困境,明显地规避了硅器件的温度载流子效应(本征载流子浓度随温度升高而升高)和结温效应(有效结势垒随温度升高而缩减)的影响,不仅能耐高温并长期工作,而且可在全温度范围保持良好的性能一致性。


高温半导体器件长期以来为航空航天和石油勘探领域所青睐,Cissoid 开发了针对SiC MOSFET的耐高温驱动芯片和方案。这一独特的耐高温性能使其得以尽可能地靠近SiC功率模块,以使驱动回路的寄生电感达到最小,从而更有效地抑制振铃并实现最佳的效率。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


热门点击

 

推荐技术资料

频谱仪的解调功能
    现代频谱仪在跟踪源模式下也可以使用Maker和△Mak... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!