NSi6602隔离半桥驱动的整流桥加升压PFC

发布时间:2020/11/21 15:55:37 访问次数:3175

在电源与充电桩等高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管。这是因为大多数微控制器输出并没有针对功率晶体管的驱动进行优化，如足够的驱动电流和驱动保护功能等，而且直接用微控制器来驱动，会导致功耗过大等弊端。

在功率晶体管开关过程中，栅极电容充放电会在输出端产生较高的电压与电流，高电压与高电流同时存在时，会造成相当大的开关损耗，降低电源效率。在控制器和晶体管之间引入驱动器，可以有效放大控制器的驱动信号，从而更快地对功率管栅极电容进行充放电，来缩短功率管在栅极的上电时间，降低晶体管损耗，提高开关效率。更大的电流可以提高开关频率，开关频率提高以后，可以使用更小的磁性器件，以降低成本，减小产品体积。

制造商: Micron Technology

产品种类: eMMC

RoHS: 详细信息

系列: MTFC

存储容量: 64 GB

连续读取: 320 MB/s

连续写入: 120 MB/s

工作电源电压: 2.7 V to 3.6 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

尺寸: 11.5 mm x 13 mm x 1.1 mm

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

封装 / 箱体: TFBGA-153

产品: eMMC Flash Drive

商标: Micron

安装风格: SMD/SMT

湿度敏感性: Yes

产品类型: eMMC

工厂包装数量: 1000

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 7.396 g

非隔离驱动需要与控制芯片共地，所以非隔离驱动中，控制芯片地只能取在-48V，这就使得控制芯片易受到来自-48V电平的浪涌或雷击等影响。而采用隔离驱动，则可以把控制芯片与驱动接到不同的接地点，控制芯片可以接在PGND（即设备地），所以不易受雷击与浪涌影响，抗干扰能力强。控制芯片接到设备地也使得其与上位机通信更加方便，不需要再加总线隔离芯片，输出采样也不用隔离，电源性能更稳定，采样保护更及时。

在数据中心交流转直流（AC-DC）电源中，也可以通过加入NSi6602隔离半桥驱动来改善电源性能，在流行的整流桥加升压PFC与LLC架构中，还可以通过增加隔离半桥驱动的方式，将有桥PFC改为无桥PFC，从而减少二极管使用数量，并提高电源效率。