WE-CMBNC是经VDE认证的共模扼流圈系列，采用高磁导率纳米晶体磁芯材料。尽管尺寸较小，但提供出色的宽带衰减性能，较高的额定电流和较低的直流电阻值。WE-CMB 系列的共模扼流圈具有扁平外型和高额定电压。

WE-CMBNC优势

高磁导率纳米晶体磁芯材料

高IR和低RDC ，小尺寸

宽频带抑制

在高温条件下，具有稳定的电感值

通过塑料外壳和专利绕组垫片改进绝缘性能

保护性涂层，坚固耐用

同类别最低 AC 和 DC 损耗  | 温度稳定性表现优秀

降压式：24 V 至 12 V（2 A, 500 kHz, 2.2 μH）

500 kHz 时的 AC 和 DC 损耗

相比类似尺寸零件，AC 和 DC 损耗减少可达30%。

使用在线元件模拟软件 REDEXPERT，确定您应用时 AC 和 DC 的实际损耗。

WE-MAPI 旨在满足最新和未来 IC 的各种要求。创新的引线框架焊盘设计可直接连接导线，显著提升磁芯利用率以及电流处理能力。

WE-MAPI 系列集成：

当前最高评分

AC 损耗同类最低

超乎想象的低 DCR

优秀温度稳定性

创新设计

最低 EMI 辐射

使用 REDEXPERT，可以轻松、快速地确定直流偏置下的MLCC值，得出的值更接近实际，参见图 6。结果：必须考虑到输入电压为 24 V 时电容会减少 20％；因此有效电容只 有 23 μF ， 但 已 足 够 。 此 外 ， 将 一 个 68 μF/35 VWCAP-PSLC 铝聚合物电容器(+串联一个 0.22 Ω SMD电阻,然后)与陶瓷电容器并联使用。

WE-MAPI: 全球最小的合金电感

创新细节设计

无焊盘设计，实现最佳共面性

无焊锡及点焊焊接点，实现最高可靠性

最大核心利用率最大磁芯利用率，实现最高电流处理能力

减少寄生电容，实现最低交流损耗

自屏蔽结构实现最优 EMI 性能

(素材来源：21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）