谐振变换器由开关网络Ns、谐振槽路NT、整流电路NR、低通滤波器NF等部分组成，其结构框。Vg为直流电压源，提供输入功率。开关网络Ns将直流能量变换为交流能量，其输出电压vs(t)为一个方波功率信号。vs(t)含有基波和高次谐波，vs(t))是谐振槽路NT的输入信号。谐振网络NT是具有带通特性的线性网络。

其传输比 定义为输出信号和输入信号之比。电压传输特性 描述了NT的频率响应。如果NT是一个高Q值的谐振网络且 比较接近于 ，则NT的输出信号中只含有vs(t)中的基波，高次谐波分量可以忽略不计。因此整流网络NR的输入信号为一个正弦量。

依据谐振槽路的类型分类，谐振变换器主要包括三种基本的类型：串联谐振变换器(SRC)、并联谐振变换器(PRC)和串并联谐振变换器(SPRC)。

300mm射频绝缘体上硅（RF－SOI）晶圆的供货，双方达成了一份为期多年的协议，后者在设计和制造创新半导体材料领域同样处于全球领先地位。基于双方的长期合作伙伴关系，这份战略协议确保了晶圆供应，从而使格芯能够在为下一代手机市场提供解决方案时进一步提升其关键作用。两家公司的领导人于本周早些时候通过虚拟签约仪式最终确定了该协议。

促成这份晶圆供应协议的主要因素是，市场对于格芯先进的RF－SOI解决方案8SW RF SOI的需求在不断增长。8SW RF－SOI作为一流射频前端模块（FEM）平台，具备性能出色的开关和低噪声放大器，并且经过了优化，在性能、功耗和数字化集成相结合方面与众不同，可满足当前和未来4G LTE及6 GHz以下5G智能手机设计人员和供应商的需求。这个新平台采用由Soitec开发的先进的RF－SOI衬底。

格芯的8SW RF－SOI的客户为6 GHz以下5G智能手机的主流FEM

假定整流网络为全波整流器，则整流器的输出为全波整流波形，全波整流波形展开后，含有直流分量和高次谐波分量。从频谱分析观点看，NR的作用相当于“频谱搬移”。假定低通滤波网络NF的转折频率远小于开关频率。

谐振变换器的调节原理，当开关频率 等于谐振网络的谐振频率时，直流输出电压达到最大值;当开关频率偏离 ，直流输出电量降低， 偏离 越远，直流输出电压越低。谐振变换器是通过改变 与 的偏离程度达到调节输出电压的目的。

Buck变换器考虑其非理想寄生参数的等效电路，其中有源开关功率MOSFET等效为开关S和导通电阻RS的串联，二极管D等效为开关D、正向压降VD和导通电阻RD的串联，RL、RC分别为滤波电感L、滤波电容C的等效串联电阻。假设开关元件S的开关周期为TS，导通时间为Ton，则占空比D=Ton/TS。

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