降低电源尺寸面临的挑战,一款高功率的适配器注定要加入智能化的设计，这就需要利用充电协议对输出特性做出相应的调整来实现精准快速的充电，这些是需要通过软件来完成的，而软件的指令来自充电器的负载，当充电控制变得越来越复杂时，无形中增加了很多元器件的数目，如此一来电源的复杂性和面积都在相应的增加，如何面对市场需求所带来的挑战,PI一直前行在创新的道路上，并且早已为电源小型化打下的基础。

功率开关在电源效率提高，体积做小的过程中是一个至关重要的器件。许多的损耗也是来自功率器件。GaN(氮化镓)技术凭借其禁带宽度大、导热率高、耐高温、高硬度等特性已逐渐被应用到电子产品，比如充电器。

下一代三星Galaxy旗舰设备可能会配备这种新的ISOCELL Vizion 33D传感器，以获得更好的摄影和AR/VR体验。

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NUP2105LT1G

描述

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 44V-Clamp-8A（8-20μs）-Ipp-Tvs-Diode-表面贴装-SOT-23-3（TO-236）

类型 齐纳

双向通道 2

电压 - 反向关态（典型值） 24V（最小）

电压 - 击穿（最小值） 26.2V

电压 - 箝位（最大值）@ Ipp 44V

电流 - 峰值脉冲（10/1000μs） 8A（8/20μs）

功率 - 峰值脉冲 350W

电源线路保护 无

应用 通用

不同频率时的电容 30pF @ 1MHz

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

PI 将该公司的PowiGaN 功率开关集成到InnoSwitch3中，PowiGaN 有更低的导通电阻，更低的开关损耗，因此无需散热片和导热片，极大的改善了电源的尺寸。同时在InnoSwitch3中还引入了“热折返”的特性。

在室内和室外条件下，该传感器可以高精度地探测到5米以内的物体深度。深沟隔离技术（DTI）最大限度地提高了像素之间的隔离度以减少串扰，而背面散射技术（BST）提高了传感器的量子效率。

为了能够对快速移动的物体进行精确的深度测量，ISOCELL Vizion 33D具有4抽头解调系统，支持高达120fps的帧速率。传感器中的每个像素可以同时接收四个相位信号（0°、90°、180°和270°），这意味着它只需一帧就可以生成深度图像。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）