一个双输出SEPIC变换器,只有一个磁元件产生5V和-5V双输出。图中所示的两个电感器绕在单个BH环形磁芯上。5V输出拓扑结构是标准的降压变换器。若没有C4 -5V拓扑结构为简单的与降压变换器耦合的反激变换绕法。

C4构成SEPIC拓扑结构,这种结构改善了调整率和有助于L1A和L1B之间均分电流。没有C4,则绕组L1B上的电压相对L1A变化,这是由于相对负载和耦合损耗所致。C4为保持在绕组L1B上的相等电压提供一低阻抗通路,这改善了调整度。

两个绕组的单磁芯BH Electronics#511-1013。D1和D3是ON Semiconductor公司的MBRD140。假若负载可能到零,则可用1K~5K的预加载来改善负载调整率。

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标准包装：2,000类别：分立半导体产品家庭：晶体管（BJT） - 单路系列：-包装：带盒（TB）晶体管类型：PNP电流 - 集电极（Ic）（最大值）：800mA电压 - 集射极击穿（最大值）：25V不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：700mV @ 50mA，500mA电流 - 集电极截止（最大值）：100nA不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：250 @ 100mA，1V功率 - 最大值：625mW频率 - 跃迁：100MHz安装类型：通孔封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3

高频逆变器是一种DC to AC的变压器，它其实与转化器是一种电压逆变的过程。高频逆变器的工作原理，转换器是将电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出，而逆变器是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了用得比较多的脉宽调制(PWM)技术。

其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，逆变器则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6～40V，其内部设有一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。

ENB电压由主板上的MCU提供，其值为0或3V ，当ENB=0时，逆变器不工作，而ENB=3V时，逆变器处于正常工作状态而DIM电压由主板提供，其变化范围在0~5V之间，将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端，逆变器向负载提供的电流也将不同，DIM值越小，逆变器输出的电流就越大。

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