从机顶盒到手机，凡是消费电子产品都要储存大量的数据，NAND闪存继续成为半导体行业中最大的市场之一。发布的新产品为恒忆带来突出的竞争优势，扩展了领先的基于MLC（多级单元）、SLC（单级单元）技术的NAND闪存、以及Managed NAND闪存和NAND存储卡，壮大了存储子系统解决方案，包括多片封装、软件和固件单元。

先进的41nm工艺的应用到了客户需要的产品解决方案和深受市场欢迎的各种容量的存储器中，产品包括16Gb到32Gb的单片封装和多片封装的MLC产品， 2GB到32GB的eMMC Managed NAND产品，以及2GB到8GB的microSD移动存储卡。恒忆还推出一款48nm SLC 1Gb NAND产品，为嵌入式和无线应用客户提供性能更优、更安全、使用寿命更长的存储解决方案。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 高速运算放大器

RoHS: 详细信息

系列: OPA847

通道数量: 1 Channel

GBP-增益带宽产品: 3.9 GHz

SR - 转换速率 : 950 V/us

电压增益 dB: 98 dB

CMRR - 共模抑制比: 95 dB to 110 dB

Ib - 输入偏流: 39 uA

Vos - 输入偏置电压 : 0.5 mV

工作电源电流: 18.1 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-6

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

特点: Decompensated

高度: 1.15 mm

长度: 2.9 mm

产品: Operational Amplifiers

宽度: 1.6 mm

商标: Texas Instruments

en - 输入电压噪声密度: 0.85 nV/sqrt Hz

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 12 V

产品类型: Op Amps - High Speed Operational Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 95 dB

工厂包装数量: 3000

子类别: Amplifier ICs

单位重量: 36 mg

为了帮助用户防止数据被恶意篡改，预防应用程序被意外修改，恒忆48nm 1Gb SLC NAND增加一个128 KB的一次性可编程(OTP)区块，确保存放在这个位置的数据不会被修改或破坏。恒忆的1 Gb SLC NAND还大幅度提高了存储器的性能，把数据读取速度提高了一倍，从原来的每秒13MB提到现在的每秒26MB。基于48nm工艺，恒忆1 GbSLC NAND程序运行速度是90nm产品的4倍，擦除操作是90nm产品的8倍，使产品的性能更强，用户的使用体验更好。

为了延长存储器的使用寿命，恒忆1 Gb SLC NAND提供了标准的每528字节地址空间1位ECC的选项，需要1位EEC校验功能的应用无需升级软件或修改硬件，就能轻松升级到1位ECC校验。 恒忆48nm  1Gb  NAND产品采用300mm技术生产，为客户提供稳定供货。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）