“用于制造极紫外线掩模的计算光刻技术软件”涵盖EUV光刻所需的特定软件，包括与三维（3D）效应、掩模阴影效应、光照方向效应、远距离眩光效应、邻近效应、抗蚀剂中的随机性效应以及源掩模优化有关的软件，这类软件是在晶圆上做出经过优化的光刻胶图案必需的软件；

Samtec通过严苛环境测试的 (SET) 解决方案包括连接器、高速插座、排针和插座，适用于各种恶劣环境。这些SET解决方案的测试标准超过了典型的行业标准和规范，进行了额外测试以确保它们更适合工业、军事、汽车和其他极端应用。 

测试

在100%相对湿度下可耐受250个插/拔周期

高度上的DWV – 模拟高度70,000英尺，300VAC下持续60秒

在5kV、10kV和15kV下测试静电放电

温度循环-65°C至+125°C（500个周期，30分钟的驻留时间）

机械冲击40G，峰值冲击11ms，半正弦

随机振动12gRMS，5Hz至2000Hz，每个轴1小时

应用

军事

航空

航天汽车

工业医疗

实施出口管制的六大技术中，芯片相关技术首当其冲，包括“用于制造极紫外线掩模的计算光刻技术软件”、“用于为 5nm 生产精加工芯片的技术”两项。

美国出口管制的两大芯片技术都与芯片制造中最重要的设备光刻机息息相关，尤其是当下5nm芯片已成为高端芯片时代的主流产品，EUV光刻机的重要性可想而知。

而“用于为 5nm 生产精加工芯片的技术”旨在应用于面向5nm生产的晶圆，包括对直径300 mm的硅晶圆进行切片、打磨和抛光以达到某些标准所需要的技术，以及尽量减小平坦度（或SFQR）和表面缺陷的技术以及局部光散射体（LLS）。以上两类技术都受到国家安全和反恐管制的约束。

(素材来源：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）